Spin Transport in a Rashba Ring-Quantum Dot System Pumped by Microwave Fields

We report a theoretical study on producing electrically spin-polarized current in the Rashba ring with parallel double dots embedded, which are subject to two time-dependent microwave fields. By means of the Keldysh Green's function method, we present an analytic result of the pumped current at adiabatic limit and demonstrate that the interplay between the quantum pumping effectand spin-dependent quantum interference can lead to an arbitrarily controllable spin-polarized current in the device. The magnitude and direction of the charge and spin current can be effectively modulated by system parameters such as the pumping phase difference, Rashba precession phase, and the dynamic phase difference of electron traveling in two arms of ring; moreover, thespin-polarization degree of the charge current can also be tuned in the range [-∞, +∞]. Our findings may shed light on the all-electric way to produce the controllable spin-polarized charge current in the field of spintronics.     

HL-2M 装置运行控制技术初步研究

重点介绍了 HL-2M 装置的运行技术和初步的等离子体控制实验结果,包括等离子体放电方案设计、 线圈电流控制、击穿阶段零场匹配和等离子体电流以及位移的控制。为了降低放电运行风险,HL-2M 装置初始放 电采用了简化的放电方案,通过整定 PID 参数实现了线圈电流控制,在击穿阶段获得了 10V 以上的环电压和较大 范围的零场区域,成功实现等离子体击穿。最后,投入了等离子体电流和水平位移反馈控制算法,成功将等离子 体放电脉宽提升至 200ms 以上,且维持 I_p≥100kA 的时间超过了 100ms,上述结果表明 HL-2M 装置运行控制技术 得到了初步的检验。      

等离子体破裂期间电流猝灭特征研究

等离子体破裂会对托卡马克装置的安全运行造成严重威胁.等离子体破裂期间电流猝灭速率与电磁负载的大小及逃逸电流平台的形成都密切相关.本文对HL-2A装置等离子体破裂进行了统计分析,统计选用等离子电流的两个衰减区间90%-10%和80%-20%.分析结果表明:HL-2A装置等离子体破裂有四种不同的电流猝灭波形,两个衰减区间最小电流猝灭时间的参数区分别为2.6 ms和2.2 ms,并且不同衰减区间下平均电流猝灭时间统计分布明显不同.     

发射区硼掺杂浓度对横向PNP晶体管高低剂量率辐射损伤的影响

本文研究了发射区重硼掺杂和轻硼掺杂横向PNP晶体管的高低剂量率辐照损伤特性。实验结果表明,随总剂量的增加,晶体管基极电流增大,电流增益下降,且轻掺杂PNP晶体管的退化更为严重。文中讨论了辐照感生缺陷在发射区重掺杂和轻掺杂晶体管退化中的作用,特别是氧化物正电荷的双重作用。最后,文章详细论述了高低剂量率辐照下,重掺杂PNP晶体管集电极电流IC的辐照响应。     

硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管

目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在     

a—Si：H TFT电流—电压特性研究

本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性分析及其电路优化。     

TCF792单、三相通用数字相位控制触发电路

TCF792是单、三相通用数字相位控制触发电路.它采用单相同步信号输入,数字分频移相120°,以适应三相触发电路.触发角2-178°,可选择矩形波或调制波输出.脉冲宽度采用电压控制,无需移相电容.在电路功能上全面兼容TC787,TC788,TC790A,TC790B,TCA785,KJ004,KJ041,KJ04等几乎所有种类的单、三相移相触发电路且价格低廉.该芯片移相角可选择传统的锯齿型线性输出或余弦函数输出两种方式.当采用余弦函数输出时,它的整流输出电压与控制电压成线形关系.该芯片可用于可控硅、双向可控硅和晶体管类控制电路.它可用于交直流转换Q电路、交流控制和三相电流控制器.它具有价廉、易用、性能优良、无需调试的优点.     

GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性

在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻的欧姆接触,比接触电阻率为3.03×10-4Ωcm2,而载流子浓度为5.88×1018cm-3的掺Si的样品未退火就形成欧姆接触,比接触电阻可达到4.03×10-4Ωcm2。     

应用网络分析法分析正比计数管输出电压

研究了将正比计数管等效为电流源后,应用时域分析中常用的卷积积分的方法,分析含正比计数管的网络的输出电压.此法不但有利于通过网络分析的概念理解这一物理过程,而且便于计算正比计数管的输出电压或电流.所得的输出电压的表达式与应用其他方法所得出的结果相同,因此可根据输出电压的波形与电路时间常数的关系,选择时间常数以确定输出脉冲宽度,使正比计数管适用于不同的计数率.     

新型脉冲氙灯预燃电路

论述了一种为高压脉冲氙灯而设计的预燃电路，电源采取开关电源方式供电，磁饱和方式降压，稳流。因此去掉了传统预燃电路中的工频升压变压器、限流电阻，整个电路的体积、重量明显减小，效率提高。实际运行表明，该电路工作可靠，运行稳定。