物理实验"十要十不要"

一要明确实验目的、原理和步骤;不要目的不明,原理不清,做一步想一步。 二要会从多种器材中选用精度要求和量程符合的器材;不要随意选用精度和量程不符合实际要求的仪器。     

低边MOSFET驱动器MIC5020及其应用

MIC5020的特点 MIC5020低边MOSFET驱动器是专为频率大于100KHz(2％-100％占空比的5KHz PWM)而设计的,可理想用于高速应用方面,如:电动机控制、SMPS(switchmode power supplies)及IGBT的应用等。该MOSFET驱动器具有可调重启的显著特点:它在电路出现过流时对处于关断状态的电路进行复位,该功能由芯片外部的一个电容来实现,通过调节这个电容可控     

20安培大电流自动充电器的研制

本文介绍用LM396电压调节器产生20安培大电流自动充电器的研制原理。     

基于MOCCⅡ多功能滤波器的设计

本文简要介绍了Mulitple-output CCⅡ（简称MOCCⅡ）器件的电路特性，提出了一个新颖的基于MOCCⅡ多功能滤波器的电路。该电路可同时实现一阶低通以及二阶低通、高通、带阻、全通和带通等输出。经分析，该电路具有很低的灵敏度。电路中所有RC元件均接地，便于集成等优点。     

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在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1～800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。     

超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.     

一种快速检测传声器输出端极性的装置

本文从传声器输出端极性的定义出发,探讨利用声脉冲信号,由传声器输出端极性进行简便、快速检测的一种装置。