二氧化硅与硅界面及其对能带轮廓及MOSFET栅遂穿电流影响的理论研究

利用第一原理对双键及桥氧两种二氧化硅与硅界面模型进行了理论研究。结果表明双键模型的界面转变区宽度较大。这种差别会导致MOSFET栅漏电的不同。遂穿电流的计算表明界面双键模型结构有较大的栅漏电。     

InAs量子点双区共腔双稳激光器

本文介绍了一种新型的双区结构的InAs量子点激光器,实现了波长1.24μm室温连续激射,同时在对可饱和吸收区施加反向偏压或开路的条件下观察到了明显的光学双稳现象,其回滞宽度优于已知所报道的结果。此外,还发现减小反向偏压或增大吸收区长度能有效增加回滞宽度。应用一个改进的阈值电流模型,揭示了可饱和吸收区内量子点吸收和电吸收两种机制对光学双稳的影响,并对所观察到的实验结果进行了解释。     

一种应用二维梯度容差开关方法的12比特电流型数模转换器

本文提出了一款集成于标准数字CMOS工艺的12比特精度电流型数模转换器。它是基于无校准6+6分段译码型结构设计的。本设计通过将高权重的单位电流管分成16个分布于阵列分离区域的小管,平均化线性梯度误差和平方误差,实现对其有效的抑制。本文还提出了一种新型的静态特性测试方法,芯片的测试结果显示：本转换器的DNL和INL分别为0.42LSB和0.39LSB,在100MHz时钟下达到了12比特分辨率。芯片工作电压为1.8V,其核心面积为0.28平方毫米。     

单片开关电源TPS54350的失效分析

分析和解决了开关电源TPS54350在小负载应用电路下的失效问题.通过对失效器件进行外观镜检、I-V曲线测试、X线检查,对典型应用电路的分析和异常测试波形分析找到了器件失效的根本原因.TPS54350典型应用电路在下电时存在反灌电流,且外接欠压保护电阻,由此引起的输入电压波动对输出使能ENA端间接干扰,从而使器件误启动,造成输出端电流反灌入器件,导致器件内部电路出现闩锁失效.采用TPS54550替换TPS54350(ENA端抗干扰能力更强),并去除UVLO端欠压保护电阻,解决失效问题,稳定地实现12 V转5 V,电流约为100 mA的小负载应用.     

地铁杂散电流监测系统的构成及综合治理

针对杂散电流产生的原因,阐述了杂散电流监测系统的基本构成,提出了杂散电流的防护综合治理的方法.同时,根据杂散电流产生的危害,通过"以防为主、以排为辅、防排结合、加强监测"的途径,结合杂散电流的监测与防护,着重从"防"、"排"两个方面采取措施,对其进行了有效的治理.研究表明,通过杂散电流监测系统的应用,有效控制了地铁杂散电流产生的危害.     

“以小控大”的晶体闸流管

晶体闸流管（Thyristor）简称晶闸管,过去叫可控硅（SCR）,它是一种以小电流（电压）控制大电流（电压）的功率（电流）型半导体器件。由于它能够像闸门控制水流一样,轻而易举地控制大电流的流通．闸流管由此得名。     

问与答

Q：一台德生S2000收音机开机后无声,经查发现静态电源电流达200mA以上、功放集成块TDA2822M严重发热。仔细检查电源滤波电容和印制板电源部分,都没发现短路、漏电等现象,清洗印制板也没用。曾经想换集成块试试,但怕因外围元器件不良而烧坏新换的IC。不知TDA2822M的正常静态电流为多少？怎么排除故障？     

Q&A

Q 我新买了一个数字式驻波比表,通过馈线连接上一个进口假负载,表的读数为SWR=1.12,小是理想的SWR=1,请问这是表不准还是假负载坏了?A 通常情况下,按照您的描述驻波比表和负载器都没有问题。首先,数显驻波比表读数比较直观,以前在指针表上表现出来"动一点点",在数显产品上就     

无极性的光敏电阻器

光敏电阻器简称“光电阻”或“光导管”．它是一种电阻值能够随光照强度变化而变化的特殊敏感电阻器件。跟光敏晶体管一样,光敏电阻器也是由半导体材料制作而成,其不同处在于它没有PN结（故也称无结器件）．两个引脚也无极性之分,使用起来更灵活、更方便。