直流断路器临界负载电流分断特性的研究

是否能够可靠地分断临界负载电流是衡量直流断路器性能的一个重要指标.按照直流断路器相关标准中规定的试验电流制定了试验方案,对分断不同试验电流产生的过电压和燃弧时间进行分析,总结了过电压和燃弧时间的变化规律,为低压直流断路器生产制造提供参考.     

温度对碲镉汞光伏芯片Ⅰ-Ⅴ特性的影响

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h.实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,Ⅰ-Ⅴ测试结果中反偏部分的电流有明显增大.通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加.     

准确测算电压电流的半值法

提出采用同一台指针式万用电表某一电压挡,通过串联电阻方法,准确测算负载端电压和电源的电动势及其内阻。介绍用某一电流挡通过并联电阻方法准确测算负载电流和电源电动势及其内阻。统称为半值法。从而排除了由于电源内阻的压降和电压表的分流作用而使得测量电压抵于实际值。也排除了由于电流表的分压作用而使得测量电流低于实际值。     

彩虹缺陷的失效验证方法及机理分析

随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战.彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象.本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应.并通过应用失效验证,电学参数测试,依据EMMI,OBIRCH的漏电流定位结果及电路原理图分析验证了彩虹...     

改进的XGBoost杂散电流预测及可解释模型

为了解决影响地铁轨道的杂散电流特征众多,常规特征选择方法影响模型预测精度及模型结果可解释性差的问题,提出基于最优特征改进极端梯度提升（XGBoost）的杂散电流预测模型。利用遗传算法的灵活性和较强的搜索能力,在包含原始V个特征的集合中逐代寻找使目标函数均方误差（MSE）最小的前M个特征,建立最优特征选取方法下的杂散电流预测模型（OFS-XGBoost）。同时为了解决OFS-XGBoost模型预测结果较好,但是黑箱模型对预测结果解释性不足的问题,提出基于SHAP理论的归因分析框架,根据杂散电流特征样本的边际贡献,以易于理解的的方式显示特征集合对模型预测结果的影响,提高模型可解释性。结果表明：所提模型的预测误差仅为1.684%,低于相同优化策略下的随机森林、反向传播（BP）神经网络等预测模型;基于SHAP值的归因分析方法可以从全局与个体角度解释输入特征对杂散电流预测结果的影响,在提高模型可解释性的基础上辅助地铁智能化健康管理。     

电桥法测电阻实验的一些探讨

电桥法是测量电阻的常用方法,该文介绍电桥法测电阻实验的原理及其操作方法;并讨论了电桥灵敏度和提高实验精度的一些做法,通常叫做"打折法";以及讨论分析排除实验中出现故障的一些方法,其结果对读者有一定的参考价值。     

基于浮动源的氮化镓器件导通电阻测试技术研究

首先,介绍了氮化镓器件的基本特征,以一款氮化镓功率器件为例,介绍了其基本结构、应用场景和关键参数,并研究了其导通电阻的测试;其次,介绍了浮动源的特点,研究了使用浮动源测试氮化镓器件导通电阻的方法,在测试方案的软件、硬件设计上提出了一些建议;然后,将所提出的测试方案运用于实际测试,结果表明,得到的测试数据与理论值吻合地较好,证明了测试方案的有效性;最后,对测试过程中常见的问题进行了分析,对于提高氮化镓器件导通电阻测试精度具有一定的参考价值。     

双稳定态下碳纳米管电机械系统的电流和机械噪声研究

近来,以碳纳米管谐振子组成的纳米机电体系在纳米机电领域被广泛地研究。对此,从理论层面研究存在强耦合作用的碳纳米谐振子耦合机电体系的量子特征。研究发现,在强烈的耦合作用下,体系的势能呈现出双稳定性。在双稳定状态下,电流存在强烈的电流阻塞。进入双稳定状态后,电流急剧衰减,同时系统的机械噪声在零能处呈现出强烈的峰值,解释为双稳定态电子跃迁所引起的电报噪声。该量子特征能够为体系量子相干性研究以及碳纳米管谐振子高精度测量提供丰富的理论依据。     

基于低功函数铪电极的Si纳米空气沟道二极管研究

基于电子无散射弹道输运的纳米空气沟道二极管具有响应速度快和截止频率高等特点,在毫米波与太赫兹领域中有着巨大的应用潜力。本文研究了以低功函数金属Hf为电极的Si基垂直结构纳米空气沟道二极管的I-V与时间响应特性,并与相同结构的Au电极器件进行了对比。研究发现,相比于先前文献报道较多的截面发射结构,面内发射构型的Hf电极纳米空气沟道二极管发射电流增强了近2倍,5 V电压下达到13.5 mA,并且其I-V曲线线型从符合空间电荷限制电流的V^3/2变成了符合F-N场发射的规律。相比于以Au为电极的Si基纳米空气沟道二极管,以Hf为电极的器件发射电流显著提升了近4倍,且器件响应上升沿仅为2 ns,具有超快响应的特性,通过降低器件面积和电容还可进一步提升响应速度。     

一种开关电容带隙基准电压源

设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源。分析了NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路。偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性调整率。利用虚拟管抵消了开关关断时带来的沟道电荷注入效应和时钟馈通效应,提高了基准输出电压的精度。该电路基于0.35μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,基准源能稳定输出1.1 V电压,建立时间为5.9μs;在-55～125℃,温度系数为1.38×10^-5/℃;27℃下,在2.7～5 V电源电压范围内,线性调整率为0.9 mV/V;电路总静态电流为35.1μA。