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971.
制备了Er3 、Yb3 共掺的SiO2-A12O3-PbF2-CdF2系统玻璃,并进行相应的微晶化热处理,研究了氟氧化物微晶玻璃中Er3 离子的上转换发光特性.研究结果表明:原始玻璃经热处理后得到的β-PbF2相氟氧化物微晶玻璃,Er3 和Yb3 所在局域基质声子能量的降低,使微晶玻璃中Er3 上转换发光强度显著提高,而微晶化后Er3 、Yb3 离子局域环境发生变化,导致微晶玻璃中Er3 离子的绿光上转换荧光强度较强,而红光上转换荧光强度相对较弱.  相似文献   
972.
以TiCl4和累托石为主要原料,制备出纳米累托石-TiO2粉末,并用X-衍射、透射电镜等对其进行表征.结果表明:纳米累托石-TiO2粉末平均直径为17.5nm当焙烧温度从500℃升至800℃时,累托石-TiO2粉末的比表面积从65.7m^2/g下降至3.3m^2/g,单位质量吸附剂的孔体积从0.1430cm。/u降到0.0213cm^3/g;当焙烧温度从300℃上升至500℃时,孔径变化不大,属中孔范围;当焙烧温度升至800℃时,一些孔道出现坍塌,不利于纳米累托石-TiO2粉末的光催化活性.  相似文献   
973.
This paper is concerned with the decay estimate of high-order energy for a class of special time-dependent structural damped systems represented by Fourier multipliers. This model is widely used in the fields of semiconductivity, superconductivity, electromagnetic waves, electrolyte and electrode materials, etc.  相似文献   
974.
合成了C6o乙醇胺衍生物与Fe^3 ,Fe^2 ,Cu^2 ,Zn^2,Co^2的配合物,以及C50乙二胺衍生物与Fe^2,Cu^2,Zn^2的配合物,并应用红外光谱和电子能谱对这些配合物进行了表征.以双氧水氧化苯酚和4—氨基安替吡啉生成醌型染料的反应作为探针,应用紫外光谱法,通过测量体系的吸光度随时间变化的A-t曲线来研究类过氧化氢酶的催化活性.结果表明此类配合物均具有较高的催化活性,回收再用性好.  相似文献   
975.
谷胱甘肽-Cu2+/PAn膜修饰电极的制备及表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
以谷胱甘肽(GSH)自组装膜电极为基体制备GSH-Cu^2 /PAn膜,利用分子印迹技术在电化学聚合过程中将铜沉积到聚苯胺的孔穴中。并用循环伏安法和电化学石英微天平监测电极的响应。实验结果表明制得的电极修饰膜内存在Cu^2 的离子通道,使得铜离子的掺杂易于进行;聚苯胺氧化还原峰与阴离子的掺杂及铜离子的掺杂有关。  相似文献   
976.
本文用三种不同的方法制备了SO_4~(2-)/ZrO_(2-)TiO_2催化剂,并用Caro Eala自动吸附仪、PE683型红外光谱仪及LCT-2型高温差热天平仪分别有选择地测定了催化剂比表面及催化剂表面硫酸根的红外吸收光谱、脱附量、脱附温度,还测定了对酯化反应的催化性能。同时,讨论了制备条件和方式对催化剂性能的影响。  相似文献   
977.
PAR在0.28mol·dm-3氢氧化钾—0.20mol·dm-3氯化钾溶液中有一清晰的极谱波,峰电位在-0.66伏,浓度在0至4.00×10-5mol·dm-3间和峰电流成直线关系,从而提出了PAR的导数示波极谱测定法。本文还研究了PAR的极谱性质、反应机理和电极产物,表明PAR的极谱波为一吸附波,电极反应系PAR  相似文献   
978.
蜡笔中痕量铅的测定   总被引:1,自引:1,他引:1  
用铋膜电极替代汞膜电极电位溶出法测定痕量重金属铅。研究了同位镀铋膜及测定条件。铅在以HAc- Na Ac为支持电解质的铋膜电极上可得到灵敏的电位溶出峰 ,线性方程为 :I=0 .0 6 0 9m 0 .0 0 0 3,相关系数 :r=0 .9986 ,检出限为 9.0× 1 0 -8g/ L,线性范围为 0 .1— 9× 1 0 -3 g/ L,RSD为 3.89%。采用加热和加速浸提法处理蜡笔 ,铋膜电极溶出法测定了蜡笔中铅的含量 ,该法简单快速 ,准确度和精密度均符合要求 ,回收率为 98.1 %— 1 0 1 %。  相似文献   
979.
嵌段共聚物;生物可降解性;左炔诺孕酮;载药性;生物可降解聚乙二醇-b-聚对苯二甲酸丁二醇酯共聚物载药微球的制备  相似文献   
980.
电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜。研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响.X射线衍射测试结果表明。相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜,硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm。结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜.退火之后,各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转;400℃退火时。薄膜逐渐结晶;600℃退火时,ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势,晶粒长大,晶化程度提高,大部分晶粒发生了织构.在400℃退火后。掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级,但掺入MgO的薄膜电阻率变大。这是由于MgO掺杂起到了补偿作用,掺入MgO有可能实现ZnO薄膜的P型掺杂.  相似文献   
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