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c轴定向氮化铝薄膜的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。 相似文献
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氢氧化镍(Ni(OH)2)是碱性二次电池的正极材料,本文采用化学沉淀法制备了纳米Ni(OH)2超微粉体,XRD检测证实晶型为β相,用TEM对粉体进行形貌分析,结果表明所得产物是颗粒状纳米晶,粒径20nm左右.将纳米Ni(OH)2粉以10%的比例掺杂到常规球镍中制得纳米复合β-Ni(OH)2电极材料,其电化学容量和放电平台较常规球镍有很大提高,大电流放电时,纳米复合β—Ni(OH)2电极材料的电化学容量比常规球镍提高达40.9%。 相似文献
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NiCuZn铁氧体和银内电极的共烧行为 总被引:2,自引:0,他引:2
NiCuZn铁氧体正作为磁介质广泛地应用于低烧多层片式电感,因此有必要对其与银内电极的共烧行为进行研究。该文主要介绍NiCuZn铁氧体/银内电极多层复合体共烧过程中的烧结收缩、界面反应、扩散对介质性能的影响。尖晶石结构中存在相当数量的空位,这为银离子提供了一定的溶解度,因此在共烧过程中银对铁氧体的相组成影响较小。银对铁氧体性能的影响体现在两个方面。一方面是由于银具有相对低的烧结温度,从而在烧结过程中起到助烧剂的作用,促进致密化过程,提高烧结体的密度和磁导率;另一方面,银促使铁氧体中的铜在晶界处析出,导致晶界处应力,使磁导率降低,晶粒生长也被一定程度地抑制。 相似文献
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LiNbO3电光调制器制作技术 总被引:1,自引:0,他引:1
光凋制器是光通信关键器件之一。国内外已对LiNbO3电光凋制器开展了基础理论,结构设计、工艺制作、性能测试等方面的研究和开发。本文介绍了LiNbO3调制器关键制作技术与工艺。 相似文献
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对CN^-在铜和银电极上的吸附性质进行了相对论密度泛函簇模型计算。结果表明,电场微扰方法可以描述CN^-在铜和银电极上吸附的表面现象,电极势诱导的频率移动被理解为Stark效应所引起。内振动模式M-CN和C-N的耦合对电位诱导的C-N振动频率变化的大小起重要作用,计算所得的由Stark效应所引起C-N振动频率变化的斜率和实验结果相符。 相似文献