脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

高温超导红外探测器的电极工艺探讨

介绍了高温超导红外探测器电极材料的选择和制备。选用先蒸、后蒸金，再合金化的电极工艺。芯片装配成器件后，器件性能稳定，膜层牢固，接触电阻小。     

关于离子造反性电极分析中的等电位差—标准加入法的探讨

本文提出了一种离子选择性分析方法，即等电位差－标准加入法。本文法已用于氟的测定。本文法的影响因素少，准确度好，操作及计算简便。     

专用液位开关集成电路LM1830的原理及其应用

ＬＭ１８３０是美国国家半导体公司生产的用来检测水溶液认位的专用器件，本文介绍了该器件的检测原理及其应用实例。     

电流控制LPE生长In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－Y）

用电流控制液相外延（ＣＣＬＰＥ）方法首次在（１００）ＩｎＰ衬底上成功地生长出Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ（０．３０＜ｘ＜０．４７，０．７０＜ｙ＜０．９６）外延层，并对外延层特性进行了详细研究，提出在ＩｎＰ衬底上生长电外延层的机理，推导出生长动力学的理论模型，该模型与上述实验结果十分吻合。     

沉淀法制备CeO2超微粉末

采用过氧化氢－－氨水沉淀法在较低温度下制备ＣｅＯ２超微粉末。试验表明，溶液起始浓度及焙烧温度以形成粉素晶体粒径有一定影响。焙烧温度在２２０－８５０℃，所得ＣｅＯ２微粉均为立方晶系，透射电测试表明，粒子基本呈球形，晶体平均粒径随焙烧温度升高而增大。控制适当条件，可制得粒径范围在５－１３ｎｍ，比表面积１１１．８ｍ＾２／ｇ的ＣｅＯ２超微粉末。