SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。     

实验验证激发能在3MeV/u的热核级联通过断点进行裂变

用相对库仑速度的最小化过程来分析热核三块大质量碎片出射的衰变过程,用它处理Ar(25MeV/u)+Au、Bi、Tb反应,对中心碰撞形成的激发能为3MeV/u热核出射的三重裂变碎片进行运动学分析,数据处理的结果显示了关联的三大质量碎片是来源于级联的二体分裂,同时质心系三裂变碎片平面的法线角分布与级联通过断点的裂变假设下的角分布相符.     

腔靶等离子体辐射温度空间分布测量

本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。     

关于奇ATm核1/2+[411]转动带的系统分析

壳模型计算表明,1/2⁺[411]出现于¹⁵⁷Tm核的基态可能是由非轴对称形变造成的.但是新近从¹⁵⁷Yb衰变纲图给出的¹⁵⁷Tm低激发谱中,指认了一个建立在1/2⁺[411]带头上的基态转动带,并认为该带的性质是轴对称的,提取了该带的惯性参数与脱耦合参数.通过对奇ATm核1/2⁺[411]转动带的系统分析,强调了在¹⁵⁷Tm核中非轴对称γ自由度效应的重要性.     

FED制作工艺研究

本文介绍了我们开发的ＦＥＤ工艺，包括；硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码管，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性产伴有荧光激发。     

薄膜微型电源

介绍了新型的薄膜微型电源的工作原理、结构及制造工艺。     

双向寻呼系统及服务功能

双向寻呼系统是在单向寻呼系统基础上，对个人移动数据通信用户提供双向寻呼、个人信息、信息接入和摄取服务，编辑和发射新信息，直接应答接收到的信息，游览信息源，接入远程数据库，收发电子邮件，系统按用户的需求配置手机功能。