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0 引言瓷介电容分为一类瓷介电容和二类瓷介电容,在广播电视电路中的应用范围包括一类(CG):谐振回路、高频耦合、高频放大器、低噪声电路、高频旁路以及要求低损耗、电容量高稳定和绝缘电阻高的电路,二类(X7R或X5R):电源滤波、旁路、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。 相似文献
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以硝酸钴和丙三醇为反应物通过反应条件的改变控制制备出Co3O4纳米线.利用粉末X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物的形貌与结构进行了表征.实验发现,在低扫描速率下,Co3O4纳米线电极的循环伏安(CV)曲线呈现出两对氧化还原峰.恒电流充放电实验中,氧化钴纳米线电极在1A.g-1电流密度下的电容为163F.g-1;在1和4A.g-1条件下,其容量随循环次数的增加先上升后下降,1000次充放电循环后容量保持率分别在98%和80%以上,继续增加循环次数则容量下降比较明显.锂离子电池性质测试中,氧化钴纳米线的放电容量为1124mAh.g-1,然而放电容量随循环次数增加下降较快.基于实验结果,对Co3O4纳米线的形成机理及其结构与电化学性质之间的关系进行了探讨. 相似文献
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介绍了在微机控制的自动测量装置中采用的双极性电容器的测试方法。这种方法用反相运算放大器微分电路获得与电容器相关的两个工频电压,并通过对它们数字化输入微机内存,最后通过对数字化后的两个周期信号进行处理求得电容量和损耗角正切。 相似文献
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Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究Ta2O5对(Sr,Bt,St,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bt2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主Ta2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。 相似文献