全文获取类型
收费全文 | 9904篇 |
免费 | 1639篇 |
国内免费 | 3493篇 |
专业分类
化学 | 4769篇 |
晶体学 | 184篇 |
力学 | 367篇 |
综合类 | 140篇 |
数学 | 58篇 |
物理学 | 2910篇 |
无线电 | 6608篇 |
出版年
2024年 | 70篇 |
2023年 | 208篇 |
2022年 | 236篇 |
2021年 | 271篇 |
2020年 | 183篇 |
2019年 | 246篇 |
2018年 | 154篇 |
2017年 | 236篇 |
2016年 | 283篇 |
2015年 | 323篇 |
2014年 | 570篇 |
2013年 | 449篇 |
2012年 | 574篇 |
2011年 | 623篇 |
2010年 | 652篇 |
2009年 | 709篇 |
2008年 | 695篇 |
2007年 | 655篇 |
2006年 | 739篇 |
2005年 | 702篇 |
2004年 | 629篇 |
2003年 | 654篇 |
2002年 | 521篇 |
2001年 | 529篇 |
2000年 | 424篇 |
1999年 | 423篇 |
1998年 | 357篇 |
1997年 | 387篇 |
1996年 | 357篇 |
1995年 | 360篇 |
1994年 | 380篇 |
1993年 | 296篇 |
1992年 | 298篇 |
1991年 | 288篇 |
1990年 | 219篇 |
1989年 | 217篇 |
1988年 | 44篇 |
1987年 | 21篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 14篇 |
1984年 | 13篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 6篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 359 毫秒
991.
Oscillation of coercivity between positive and negative in MnxGe1-x:H ferromagnetic semiconductor films
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Amorphous MnxGe1-x :H ferromagnetic semiconductor films prepared in mixed Ar with 20% H2 by magnetron cosputtering show global ferromagnetism with positive coercivity at low temperatures. With increasing temperature, the coercivity of MnxGe1-x :H films first changes from positive to negative, and then back to positive again, which was not found in the corresponding MnxGe1-x and other ferromagnetic semiconductors before. For Mn0.4Ge0.6 :H film, the inverted Hall loop is also observed at 30 K, which is consistent with the negative coercivity. The negative coercivity is explained by the antiferromagnetic exchange coupling between the H-rich ferromagnetic regions separated by the H-poor non-ferromagnetic spacers. Hydrogenation is a useful method to tune the magnetic properties of MnxGe1-x films for the application in spintronics. 相似文献
992.
结合胆固醇与卵磷脂的拉曼光谱,分析了BLM成膜液中胆固醇与卵磷脂的相互作用。得出膜液中胆固醇与卵磷脂的最佳配比为1∶4。室温下,电化学实验的结果表明,以此种比例配置的膜液使膜的稳定性得到提高,导电率减小。 相似文献
993.
994.
995.
利用常温下恒流和恒压电晕充电、充电后的等温表面电位衰减、热刺激放电和扫描电镜等实 验手段研究了恒流和恒压电晕充电技术对聚四氟乙烯多孔薄膜驻极体驻极态的影响.与恒压电晕充电相比较,恒流电晕充电时由于流过薄膜的电流恒定,增加了注入电荷在多孔结构厚度方向界面处的俘获概率,使沉积电荷密度上升,改善了驻极体的储电能力.然而,这些位于不同层深多孔界面处的俘获电荷在这类功能膜储存或使用过程中,经外激发从脱阱位置 以跳动(hopping)模式输运至背电极的路径相对缩短将导致脱阱电荷衰减较快.
关键词:
恒流电晕充电
聚四氟乙烯多孔膜
驻极体
电荷稳定性 相似文献
996.
亚铁磁材料因具有反铁磁排列的子晶格磁矩而表现出诸多丰富的物理性质,在磁信息存储和逻辑领域具有广阔的应用前景.本文采用磁控溅射方法在热氧化的硅基片上制备了Pt/GdFeCo(t)/Pt多层膜,系统研究了亚铁磁GdFeCo厚度对多层膜的表面形貌、结构、磁性以及反常霍尔效应(AHE)的影响.结构测试表明薄膜表面粗糙度较小,且GdFeCo层为非晶态;实验中利用GdFeCo层厚度可有效控制Gd元素含量,从而调控GdFeCo趋近反铁磁态特性的磁矩补偿点;通过重金属强自旋轨道耦合效应(SOC)和非晶态亚铁磁薄膜面内压应力,实现了良好垂直各向异性(PMA);进一步阐明了亚铁磁薄膜中磁性和反常霍尔效应的内在产生机制以及磁矩补偿点与温度的内在关系.这些结果为构建新一代低功耗自旋电子器件奠定基础. 相似文献
997.
利用半导体量子点阵列结构实现近邻耦合是规模化扩展自旋量子比特的主要方案之一.随着量子点数目的增加,量子点阵列器件的制作工艺及参数调控均愈加复杂.本文介绍了一种重叠栅工艺结构,利用多层相互重叠且具有不同功能的栅极定义量子点,制作出结构紧凑、调控性好的量子点阵列器件,解决了工艺扩展的难题.此外,本文发展了一套高效可靠的调控方法,按顺序逐个添加量子点并建立虚拟电极,实现了对量子点参数的独立控制,并且能够高效且独立地调控各量子点中的电子数目,克服了大规模量子点阵列中电压参数配置的困难.这些方法为未来实现大规模自旋比特阵列提供了一种标准化的方案. 相似文献
998.
999.
1000.
采用高频C-V曲线方法,研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程.二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×103Gy(Si)剂量下近乎相同,而在大于3×103Gy(Si)剂量下,50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍.利用电离辐射后的隧道退火效应,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO2界面附近分布的距离均约为4nm. 相似文献