Bi（2223）厚膜微结构分析

测量了预结厚膜在不同压力下的密度，用ＳＥＭ观测了三次烧结扣揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌，实验结果表明，厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是；在制备过程中粉末内存在的空气，在烧结时产生的空洞而导致厚膜的织构和晶粒间的连接变差，提出了降低空洞、提高厚膜临界电流密度的方法。     

SiH_4－O_2体系LPCVD SiO_2薄膜的工艺及其应用

本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。     

测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．     

膀胱上皮细胞的不对称单位膜结构及其在胚胎发育中的变化

膀胱上皮细胞的不对称单位膜结构及其在胚胎发育中的变化于勤李岫芬程钤丁明孝翟中和（北京大学生命科学学院，北京１００８７１）哺乳动物的膀胱上皮细胞最典型的特征之一是存在着一种特殊的不对称单位膜（ＡｓｙｍｍｅｔｒｉｃＵｎｉｔＭｅｍ－ｂｒａｎｅ简称ＡＵＭ）结...     

单层光学薄膜中薄膜－衬底体系的双重干涉效应及其应用

提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论，实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜－衬底体系的热致反射调制度高达８０％，这一效应可望有极广泛的应用     

钢铁表面锌系磷化膜的研究

本文采用ＳＥＭ和ＴＥＭ等测试手段，研究了四功能处理液不同条件下在钢铁表面上形成锌系磷化膜的形貌，晶体结构；采用ＥＤＳ研究了磷化膜的化学成发，通过实验确定了Ｚｎ／Ｐ值在２．１２～３．２０时，磷化膜具有良好的耐蚀性。     

MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性

报道了采用真空蒸镀的方法制备的MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性.Mn:Bi:Dy(Sm)的投料比为2:1:0.10.薄膜经过退出处理(350—425℃,保温4h)后,具有NiAs型hcp结构,C轴垂直膜面,剩余磁感应强度B=3.4-6.5kG,内禀矫顽力_MH_c≈3-8kOe,最大磁能积(BH)_(max)=13.39MG·Oe.实验发现,薄膜厚度对MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性具有很大的影响. 关键词：     

紫膜（BR）水溶液共振Raman光谱的温度相关性

本文报道了ＢＲ水溶性Ｒａｍａｎ光谱的温度相关性及吸收光谱变化。讨论了导致光谱变化的热诱导引起的结构变化。     

电容充放电演示装置

<正> 本文介绍的电容充放电演示装置,由线性点/线显示驱动集成电路及电容充放电电路构成。它用发光二极管的显示路径及不同颜色来演示电容充放过程,非常直观,因而适用于教学演示。 工作原理 图1是电容充放电演示装置的面板图。图1(a)和图1(b)分别是电容充放电电路及充放电曲线(电容两端电压U_c随充放电时间t变化的曲线)。当开关S拨向“1”档时,电源E通过电阻R向电容C充电,LED1～LED10(红色)随U_c的升高而顺序发光,并均能保持住发光状态,从而描绘出电容充电曲线(曲线1)。当开关S拨向“2”档时,电容C通过电阻R放电,此时LED11～LED20(绿色)顺序熄灭(开始放电瞬间LED11～LED20均是点亮的),描绘出电容放电曲线(曲线2)。