T108自动充电的奇怪故障

故障现象:一台三星T108手机,开机10秒左右开始出现自动充电的显示,关机后,仍有充电指示。但摘下电池再装回,却没有出现自动充电现象。故障原因:经咨询,该机开始的故障是由于摔过后出现“系统失败”故障,拆下码片发现下面掉点,曾更换尾插、充电控制LC等元件,并进行了清     

DC-DC电荷泵的研究与设计

以Dickson电荷泵的基本原理为出发点，研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点，为确定电容时间常数，采用非交叠时钟控制信号避免了由于时钟交叠而造成的当电容充电还未完成即对下一级电容进行放电的现象。同时，参考功率MOS-FET的电容模型通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时，提高了开关动作的速度，使转换效率得到明显提高。此电路结构简单，性能优良，易于集成，可广泛应用于输出负电压的电源产品中。     

TDA2030A在有源音响中的应用

以TI公司的TDA2030A型电路为核心器件构成高保真声频放大器的功率放大器部分，推动扬声器系统放音，构建一种输出功率足够大、谐波失真和互调失真很低、频率特性平坦的有源音响。     

高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型，由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响，因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素，并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm，从而使开关的电容比增加到3800。最后，讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。     

芯片封装引线电性能的测试

随着集成电路的高速化、高集成化、高密度化封装的发展，封装引线的电性能对集成电路的影响越来越大，封装引线电性能的测试与控制也越显重要。     

ULSI中的铜互连线RC延迟

随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展，互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的频率性能的提高，同时考虑到电迁移和功率损耗，人们开始寻找新的互连材料；低电阻率的铜互连材料和低介电常数介质的结合可以有效地发送互连线的性能，主要讨论了互连延迟的重要性以及发送和计算延迟的方法。