九款MKP电容试听比较

一年前受好友老吕所托，为他们的新家搭配音响及视听组合。由于他们购买的新家是预售屋，故还有一年的时间组装、搭配。经过初步的沟通後，喇叭系统方面，老吕独衷意大利SonusFaber的MinimaAmator，其它部份除预算及空间限制外，台湾产品或进口货不拘，一切音质至上，充分授权让我自由发挥。     

一种动态开关电容运算放大器共模负反馈电路

本文主要介绍了一种应用于Cascode结构运放中的开关电容共模负反馈电路，它具有稳定性好、对运放频率特性影响小、不消耗额外功率等优点。对电路运用Hspice进行了模拟，并给出了模拟结果。     

介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺，采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明：随着等离子体密度的增高，表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加，而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小. 关键词： 等离子体浸没离子注入 脉冲鞘层 绝缘介质 充电效应     

爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电的理论分析

 将爆磁压缩等效为电流源的方法，对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析，得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形（简称负载电流）为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数，脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比，负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间，斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间，从而可能增加充电电压的幅值，提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。     

用模拟万用表测电容

介绍了用模拟万用表和秒表测量电容的简单方法，对测量结果的误差原因进行了分析，给出了提高测量精度的几点措施。     

High Voltage Pulse Power and the Technics for the Capacitor Power-Storage Type

Lower hybrid wave （LHW）, electro cyclotron （EC） and neutral beam injection （NBI） etc. are the important methods of auxiliary heating. They would be devoted to the HL-2A tokamak step by step. In order to satisfy the debug of each system and the need of the experiment, the system should be equipped with high voltage pulse power （HVPP） according to the requirement.     

关于非平行板电容器电容计算的讨论

用串联方法计算非平行板电容器的电容，简便地得到与其他方法相同的结果。     

如何加强信号路径的性能

信号路径的设计为系统设计工程师提供不少可供他们发挥的机会.以设有模拟/数字转换器的信号路径为例来说,工程师进行设计时不但要为传感器提供缓冲,而且还要解决模拟/数字转换器开关电容的输入充电问题,以及要尽量减少系统的噪音源,只要构思的设计能解决这些问题,便可大幅提升系统的性能.今期的信号路径设计专辑将会深入讨论这方面的问题.     

一种基于混沌的随机数发生器设计及其IC实现

在密码学、仿真学以及集成电路测试等许多领域 ,随机数起着重要的作用。在密码学中 ,通常要求所使用的随机数具有不可预测性。基于混沌现象 ,使用开关电容技术 ,用集成电路实现了一种硬件随机数发生器。测试结果表明 ,其产生的序列具有不可预测性 ,可以满足密码学的应用要求。