阴极射线管电子枪发射系统的数值分析

以往进行阴极射线管电子枪发射系统数值计算,多采用韦伯(C.Weber)方法,相继又提出了二宫计算方法。在二宫方法中,最突出的特征是考虑了阴极发射电子的纵向热初速度,使之更接近于实际。本文就二宫方法倣了进一步的改进。从而使发射系统数值计算的精度得勁提高,且计算程序的编制简化,及缩短了程序运行所需的计算机的CPU时间。此计算方法虽是针对彩色显像管(CPT)发射系统而提出的,但也适用于所有的阴极射线管电子枪发射系统的数值计算。应用此方法编制了发射系统数值计算程序,计算了精密一字型彩色显像管BPF(Bi-Poteotial Field)枪的发射系统泊松场分布及其特性参量。在计算时考虑了阴极热膨胀对发射系统的影响,所得数值计算结果和实验结果吻合较好。     

W 波段带状注速调管电子枪束流截面的模拟与测试 王

简要介绍了带状电子注束流截面动态测试系统,阐述了YAG：Ce 晶体发光原理,给出了W 波段带状注束流截面的模拟结果和低电压下测试结果,通过对测试注截面的分析验证了电子枪的设计,这对带状注速调管的研制具有重要的意义。     

激光斜入射光阴极对束流质量的影响及其优化

 针对美国布鲁克海文国家实验室（BNL）型的光阴极微波电子枪,模拟了不同分布状态的驱动激光脉冲斜入射光阴极对束流质量的影响,给出了改变注入相位和补偿线圈磁场强度对发射度的优化结果。结果表明：光斑椭圆化将会导致发射度的大幅增长,优化效果不理想;波前不同步导致的发射度增长对于纵向高斯分布的脉冲可以得到理想的优化。对于斜入射引起的光斑椭圆化和波前不同步问题给出了光学校正方法及部分测量结果。此外,模拟结果显示,对于横向均匀分布的激光脉冲,适当椭圆度的光斑比圆形光斑更有利于提高电子束质量。     

低反轰热阴极微波电子枪初步实验

 简述了紧凑型自由电子激光太赫兹源研制的系统设计方案,介绍了具有两路微波馈入的热阴极微波电子枪的研制与测试情况,利用束流传感器测试了束流强度,并利用CCD相机测试了束斑大小,给出了微波电子枪通过初步热测实验得到的结果。测得微波电子枪出口处束流强度超过500 mA,束斑约3 mm,采用双屏法测量束流发射度,得到归一化发射度约为13.5 π·mm·mrad,测试指标与理论设计值吻合较好。     

非对称束形成区的静态像设计分析

作为改善彩色显示器件屏边缘聚焦性能的一种措施，电子枪束形成区静态像散设计被各种高质量彩管所采用，由于其结构的非轴对称性，其定量的模拟计算和设计必须使用ＣＡＤ手段。本文分析了彩管像散的形成原因，并用我们自行开发的ＣＡＤ软件对两种彩管电子枪的静态像散结构进行了定量的计算。     

2000kV电子帘加速器的电子束轨迹的计算

采用法国的ＭＡＦＩＡ程序计算电场。编制了ＴＲＡＪ程序，用逐点跟踪计算电子轨迹，得到了束流包络。观察了在高压电场中栅压对束流光学传输的影响，并获得了在不同能量范围内的栅压聚焦作用，为册压调节提供了理论依据，也为将来对其它规格的电子帘加速器的物理设计积累了十分宝贵的经验。