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11.
X波段同轴腔多注速调管的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
开展了具有同轴谐振腔互作用电路和双模工作杆控电子枪的X波段同轴腔双模多注速调管的研究工作.结合数值计算和冷测实验,对工作于TM310高次模的同轴谐振腔模式分布和特性参数进行研究,获得了可满足多注速调管要求的谐振腔特性阻抗和良好的模式稳定性.采用具有双控制极的新型杆控多注电子枪及电子光学系统,可使多注速调管具有双模的新工作特性,通过数值模拟获得了优化的几何参数和具有良好层流性和波动性的空心多电子注.对采用6个电子注和5个谐振腔的X波段多注速调管进行了注波互作用大信号计算,结果表明当电子注电压为21.5kV,脉冲电流为14.4A时,可在30MHz频带范围内获得的100kW左右的脉冲输出功率,互作用效率大于30%,增益大于36dB. 相似文献
12.
根据Tm3+∶BaGd2(MoO4)4激光晶体的发光特性,以厚度为1.1 mm的该晶体为基底,选择Ta2O5和SiO2作为高低折射率膜料,通过电子枪蒸镀的物理沉积方式分别在晶体两端面设计并镀制了输入膜系和输出膜系,同时采用霍尔离子源辅助沉积来增强晶体与膜层之间的结合力。镀膜后的晶体输入端面795 nm透过率大于90%,1.9 μm透过率小于0.2%;输出端面795 nm透过率小于10%,1.9 μm透过率等于6.55%。通过采用795 nm波长的半导体激光泵浦镀膜后的晶体,实现了1.9 μm准连续激光输出,结果表明该激光输入输出膜系的镀制满足激光器实验的使用要求。 相似文献
13.
栅控电子枪栅网与阴极间的精密设计结构和栅网对束流的调整作用决定其设计结构必须具有良好的抗振可靠性.使用有限元模拟技术对电子枪栅网进行模态分析,模拟分析了不同栅网尺寸的模态频率和模态振型,并对影响模态频率的因素进行探讨,为栅网的优化设计提供了参考. 相似文献
14.
离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2~22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14~3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度. 相似文献
15.
本文运用6Sigma工具定量分析了由于21FS彩管QPF电子枪的受聚焦电压影响SP光点位置相对移动,从而导致产品在用户处静会聚一致性差的重要原因。并通过设计优化电子枪偏孔设计特点,从理论和试验实践上解决了聚焦电压对21”静会聚的影响。 相似文献
16.
17.
对TWTCAD微机版、工作站版本、EGUN,CAMEO以及Orprogr电子光学软件背景和特点作了一个简单介绍,并利用其模拟计算了11支不同结构的电子枪。将计算得到的导流系数、射程和注腰半径与实验数据列表对比,结果表明:不同电子光学软件计算不同类型电子枪其计算精度也不一样。在导流系数方面,EGUN和Orprogr的计算精度较高,绝对平均误差分别为7.18%和7.4%;在射程方面,TWTCAD的计算精度最高,绝对平均误差为5.69%;在注腰半径方面,Orprogr与实验值偏差较大,绝对平均误差为47.43%,而工作站版本的计算精度最高,绝对误差仅为2.29%。 相似文献
18.
电视跟踪、电视制导是导弹武器系统的重要组成部份,摄象器件又是其中的关键器件。本文着重从抗震、高可靠方面介绍摄象器件电子枪的结构和性能设计,该电子枪应用于重点军事工程,经多次试验和实际使用,性能稳定,达到了高可靠的要求,是目前国内唯一的抗震高可靠电子枪。 相似文献
19.
20.
多注速调管技术的新进展 总被引:11,自引:1,他引:11
系统地介绍了多注速调管的工作原理、主要特点和发展概况。比较详细地分析了俄罗斯、中国和法国等国研制的多注速调管的主要性能指标和技术特点,分析了多注速调管研制中遇到的关键技术问题;讨论了多注速调管技术的发展趋势和应用范围。 相似文献