156Tm核的高自旋态实验研究

利用122.5MeV的¹⁹F束流, 通过¹⁴²Nd(¹⁹F,5n)¹⁵⁶Tm熔合蒸发反应布居了¹⁵⁶Tm核的高自旋态, 测量了γ-γ符合及DCO比值, 建立了一个有29条能级, 33条γ跃迁的能级纲图. 新增加了20条γ跃迁, 18条能级. 将能级自旋推高到(34^－).     

电热蒸发进样微波等离子体炬原子发射光谱法中共存元素的影响

本文考察了以微波等离子体炬（MPT）为光源，电热钽丝环进样时，溶液中共存元素对发射信号的影响。     

NFZ-10工业辐照电子直线加速器

研制的电子直线加速器ＮＦＺ－１０的辐照加工能力相当于３０ＰＢｑ的６０Ｃｏ源，电子束能量为４～１２ＭｅＶ，平均束功率为３ｋＷ，扫描宽度为１ｍ，能量不稳定度≤±０．５％，束流不稳定度≤±０．６％，扫描不均匀度≤±２．５％。ＮＦＺ－１０加速器已被用于辐照各种电力半导体器件，一年多来运行稳定可靠并获得较好的经济效益。     

“ГОИ”全俄科学中心光学镀膜工作概况

在“С．И．瓦维洛夫国家光学研究所(ГОИ)”光学镀层工作是30年代在И．В．Гребевшиков院士领导下开始的。到目前为止形成一个高度熟练的专家集体。它完成同光学镀膜工艺有关的一整套的工作。在镀制中采用所有现代的光学镀层的真空方法：电阻法和在高真空中的电子束蒸发法，阴极法，离子等离子体法，磁溅射法。镀层工艺中成功地采用离子加工方法，其中包括基板的离子净化，离子辅助(ассистрование)，离子涂抹(платирование)。     

采用石英和多晶ZnSe电子束控制的晶体开关

本文介绍了利用石英晶体和多晶体ＺｎＳｅ硒化锌作开关试样的电子束控制开关的实验结果，上述两种材料的开关阻抗会因电子束激励急剧下降，石英晶体在电流控制下具有很快的瞬变响应和潜在的适应性；而ＺｎＳｅ则在电子束激励后，开关阻抗随着时间呈指数增长，相应的电流变化过程约１０ｎｓ数量级。     

CRT用非轴对称电子枪的电子束分析

装有非轴对称电子枪的显象管的电子束模拟器已开发出来，该模拟器已考虑到了电荷效应，电子热扩散和偏转散焦效应，模拟器中，电子束被分成各个高斯束流，每个高斯束流都具有主轨道和旁轴轨道。为计算主透镜的静电场，对于复杂的电极需采用极场展开法与表面电荷法相结合的办法来减少ＣＰＵ时间，简化数据输入，动态象散校正依靠主透镜上旋转一四极透镜的方法来完成，象散的消除采用电子束形成区域用狭缝和方孔的方法来完成，这些都已     

断续喷洒去溶电热雾化法在电感耦合等离子体原子发射光谱方法中的应用研究

本文所讨论的电热雾化法是采用继续喷洒去溶技术,使试样在石墨炉表面逐步积累的进样方法。文章简要介绍了实验条件的选择和控制以及石墨炉装置的结构,探讨了提高电热雾化法相对检测能力的途径。实验结果表明:谱线黑度值与试样积累时间的对数值之间具有较好的线性关系。     

ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程

用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件，对其电致发光谱进行分析，在光致发光中，Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递，而在电致发光中，Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递，在所研制的电致发光器件中，稀土TmF3掺杂浓度不同，器件的发光性能也不同，在双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件的基础上，改变器件的结构，发现器件的蓝光发射与红光发射之比增加，并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。     

共沉淀预富集氟化辅助ETV－ICP－AES测定高纯氧化钇中痕量钒

提出吡咯烷二硫代氨基甲酸铵为沉淀剂，Ｂｉ（ＰＤＣ）３共沉淀分离预富集氟化辅助ＥＴＶ－ＩＣＰ－ＡＥＳ测定高纯Ｙ２Ｏ３中痕量钒的新方法。分离基体后的杂质浓缩物不需用酸溶解，而是制成悬浮体直接引入石墨炉蒸发，采用水溶液标准工作曲线测定沉淀物中的钒。本法测定钒的检出限为１．１ｎｇ／ｍｌ，ＲＳＤ为２．８％（ｎ＝１０，ｃ＝１５ｎｇ／ｍｌ），实际试样分析的回收率＞９６％。