C^3CM（C^2W）系统效能评价技术（上）

通过分析研究建立Ｃ＾３ＣＭ系统效能评价准则，探索了Ｃ＾３ＣＭ效能评估技术和方法。     

国外离子束系统（IBS）发展概况

综述了国外离子束刻蚀和沉积系统的研究进展，指出了离子束系统在半导体技术研究，开发和生产中的重要性。     

MCS—51单片机在大滞后温度智能控制中的应用

文章介绍了以ＭＣＳ５１系列单片机为核心的计算机控制系统，用以实现工业催化剂活性检测过程床层温度程序控制。被控对象是具有３～８分钟的纯滞后、时变、非线性特性的催化剂电加热炉，控制难度大。采用了广义最小方差自校正控制算法，具有时变滞后的极点自校正ＰＩＤ算法，极点对消直接ＰＩＤ三种算法进行了仿真与现场试验研究。前两种，由于工作过程允许的信号对系统激励不够充分，对象在线辩识有困难，试验结果表现，不能实现预期的控制要求。最终采用了极点对消直接ＰＩＤ算法，成功地实现了催化剂活性温度自动控制。该系统工作稳定、可靠，控制精度达到了检测标准要求。     

类铜离子的电子碰撞参数及其规律

用准相对论扭曲波方法系统地计算了Ｂａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ａｕ、Ｐｂ类铜离子组态能级之间的电子碰撞激发强度Ω（ｎｌ－ｎｌ），３≤ｎ≤７，４≤ｎ≤７，同时给出了高能极限的碰撞强度和外推到阈值的碰撞强度，用最小二乘样条方法拟合了全能域碰撞强度及热平均速率系数。对于一个激发过程，用１０个参数可以得到碰撞电子在任意能量下的碰撞强度以及任意温度下的速率系数。     

舰船电子防御及其技术特点

从海上战场态势出发,阐述了空间能谱争夺业已演变为海上战场的主战场,舰船(编队)电子防御业已成为舰船作战的关键阵地。对舰船电子防御技术特点进行了重点分析,以便对舰船电子防御系统方案论证和技术途径选择有所帮助。     

线状锗等离子体X射线线谱的时间分辨测量

用自行研制的X射线条纹晶体谱仪首次测量了线状锗等离子体的X射线时间分辨谱。给出了类Ne-锗L线共振线的时间演化过程,并用类Ne-锗L线共振线与其双电子俘获伴线的相对强度比粗估了锗等离子体的电子温度及其随时间的变化,实验给出了X光激光增益区介质的电子温度为400～760eV,同时给出了电子温度保持相对恒定的时间不小于90ps(电子温度变化小于2％)。     

1991年日本电子材料产值

据日本电子材料生产者协会，(EMAJ)统计报告称，1991年日本电子材料总产值比1990年增长了6％，达4450亿日元。其中；金属材料(包括管子、半导体材料、软磁材料，弹性材料、焊接材料，耐腐，耐热材料，电阻材料和特殊材料)和永磁材料的产值分别比1990年增长3％；