搞好技术改造实现规模生产

详细介绍了工厂“八五”技术改造情况，由于精心组织，使项目进展顺利，企业生产规模扩大，品种增多，质量提高，使产品拥有较强的竞争力，产品畅销国内市场，产实现出口。     

TrpH—TryOH肽链中电子的逆向转移

本文较详细的研究了色氨酰酪氨酸二肽（ＴｒｐＨ－ＴｙｒＯＨ）中的电子转移，电子该电子转移的速率，甚至电子转移的方向都强烈的依赖于溶液的ｐＨ。而且，该肽中的酪氨酸残基瞬态粒子浓度与色氨酸残基瞬态粒子浓度之比也强烈的依赖于ｐＨ。根据这种依赖性，求得了二肽中的ｐＫａ（ＴｒｐＨ＾＋）和ｐＫａ（ＴｙｒＯＨ），其值分别为６．２和１１．３。     

In0.53Ga0.47As／InP异质结光电二极管的深能级

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测定了Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ异质结光电二极管的ＤＬＴＳ谱。发现存在一电子陷阱，该陷阱能级位于导带底以下０．４４ｅＶ处，能级密度为３．１０×１０１３ｃｍ－３，电子俘获截面为１．７２×１０－１２ｃｍ－２。由于深能级的存在，导致了该器件存在一种新的“暗电流”──“深能级协助隧穿电流”。     

仲态电子偶素湮没辐射能量的改进测量

用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用¹⁹²Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.     

NFZ-10工业辐照电子直线加速器

研制的电子直线加速器ＮＦＺ－１０的辐照加工能力相当于３０ＰＢｑ的６０Ｃｏ源，电子束能量为４～１２ＭｅＶ，平均束功率为３ｋＷ，扫描宽度为１ｍ，能量不稳定度≤±０．５％，束流不稳定度≤±０．６％，扫描不均匀度≤±２．５％。ＮＦＺ－１０加速器已被用于辐照各种电力半导体器件，一年多来运行稳定可靠并获得较好的经济效益。     

超声射流冷却SO2^—A2—^1A1激光诱导荧光激发谱

测得了３１５￣３３０ｎｍ超声射流冷却下ＳＯ２＾１Ａ２－＾１Ａ１激光诱导荧光（ＬＩＦ）激发谱，获得了７个有明显Ｋ结构的Ｃ型跃迁的转动子带分辨谱，并将７０个转动子带归属为（１，ｍ，１）－（０，０，０）和（０，ｎ，１）－（０，０，０）（４≤ｍ≤７，８≤ｎ≤１０）的跃迁带系。光谱分析得到ＳＯ２＾１Ａ２－＾１Ａ１跃迁的带源ｖ００、＾１Ａ２态弯曲振动频率ｖ′２，非谐性常数Ｘ２２′分别为（２７９５０±５）、（２     

单电子效应与单电子晶体管

由于半导体超微细加工技术的发展，在半径为几百ｎｍ的量子点结构上观察到由单个电子的阻塞和隧穿引起的电流振荡，分别称为库仑阻塞，单电子隧穿和库仑振荡，与此效应有关的现象还有库仑台阶，旋转门效应，旋转门器件可利用作为电流标准测量，单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择，单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。     

单电子晶体管电导振荡及其解释

文中概述了单电子晶体管电导振荡的特点并进行了理论解释，进而讨论了介观电容及电容谱的概念。     

电子封装研究综述——从工业生产角度剖析电子封装技术的动向及未来…

以半导体工业学会为半导体工业制定的标准作为依据，描述了当前集成电路封装研究的现状。涉及到以下关键范围：设计、分析和模拟、降低供电电压，强化散热、区域阵列互连，芯片筛选，低成本高密度基极以及小型化的单片封装，除了以上这些范围，着重研究了设计，制造以及可靠性分析中有关的问题。