偶氮苯自组装单分子膜中长程电子转移机理

利用自组装技术在金电极表面构造了具有不同前端健长度偶氮苯功能化的单分子膜体系：Au／S（CH2）nNHCO-N＝N-OCH2CH3（n＝2，3，4，6）．研究结果表明，仍氮苯到金电极的表现电子转移速率随它们之间的距离长度的增加而呈指数性的下降趋势．基于Marcus电子隧穿理论，得到了此自组装膜体系的长程电子隧穿系数ρ＝（1．35±0．2）／CH2在和可逆电活性分子自组装膜体系及理论计算相比较的基础上，从偶氮苯分子自组装膜结构与电子转移过程的关系角度对这一结果进行了分析和说明．     

非晶态Co-B的局域电子结构的X_α原子簇计算

金属玻璃TM-Met(TM为过渡金属原子,Met为类金属原子,如硼、磷等)由于其优异性能已成为非晶态研究的重要课题之一。实验研究表明,类金属原子与过渡金属原子构成非晶态合金(即金属玻璃)后,平均原子磁矩随Met的含量在一定范围内的变化呈线性下降关系.相当多的文献用“电荷转移刚性能带”模型来解释.认为金属玻璃的能带是     

非晶态Co-B的局域电子结构的Xα原子簇计算

In the research on metallic glass, there are arguments against the "rigid band charge transfer", model which assumes a charge transfer from metalloid atoms to transition metal atoms to explain the experimental evidence of linear reduction of average atomic magnetic moment with the increasing concentration of metalloid atoms, but they could not explain the experimental relation of the reduction. In the present work, spin-polarized SCC-DV-X_a calculation for atomic clusters for metallic glass Co-B has been empoloyed to investigate the local electronic structure and magnetic property of the metallic glass. As opposed to the "rigid band charge transfer" model, calculation in the present work indicates that charge transfers from Co4s to both B and Co3d. It is found that there is Co3d4s-B2p hybird bonding in Co-B, which leads to the linear reduction of average atomic magnetic moment. Thus the explanation removes the above controversy.     

四苯基卟啉镍的电子结构及光谱研究

本文用INDO/CI方法计算了中位取代四苯基镍卟啉的电子结构与光谱。分子轨道能级表明平面型和垂直型的基态最高占有π轨道(a_(1w)和a_(2w))与次高占有轨道间有较大的能隙。计算的低激发态跃迁光谱表明,最低能量跃迁Q带和B带计算值与实验值符合较好,但N带与L带计算值偏高。算出的最低(nπ~*)跃迁出现在37000 cm~(-1)左右。     

单层膜包裹的金纳米粒子的表面状态对铁氰根离子和硫代硫酸根离子间的氧化还原反应的影响

利用三维自组装膜包覆的金纳米粒子为电子转移媒介体, 研究电子在三维自组装膜表面的转移行为. 文中以3-巯基丙酸和11-巯基十一酸包覆的金纳米粒子为催化剂, 催化铁氰化钾与硫代硫酸钠之间的反应. 该催化反应的机理为金纳米粒子作为电子转移的媒介体, 电子在金纳米粒子表面转移的速度决定着反应的速度. 因此, 电子在这种三维自组装膜上的转移速度和反应速度成正比, 而该反应的反应速度可以由铁氰化钾的紫外光谱的变化得到. 实验中得到的表观电子转移速度比理论计算隧道电流产生的电子转移速度的最大值小几个数量级, 这可能是由于纳米粒子能级不连续性造成的.     

电子亲合能与原子的Z */r及电子构型的关系

从电子亲合能定义出发，讨论了原子在形成相应负离子时，新增电子所受吸引能（Ｚ／ｒ）与电子亲合能的关系。从计算所得１～８６号元素各原子Ｚ／ｒ值显示，Ｚ／ｒ和ＥＡ值均体现出一定的周期性变化规律。对某些反常现象也从各自的电子构型角度给以解释。     

质子化硼烷正离子体系电子结构的理论研究

本文用a b initio计算法和近似a b initio计算法(PRDDO)研究了质子化硼烷正离子体系的电子结构,给出了一些正离子体系的优化几何构型并讨论了它们的成键情况。计算的硼烷分子质子亲和势与实验值相当吻合。     

席夫碱自组装单分子膜的电化学行为

利用自组装技术将席夫碱硫醇衍生物在金表面形成自组装单分子膜,并初步研究了此自组装单分子膜的电化学行为,发现该席夫碱分子在0.1 mol•L－1的KCl溶液中具有电化学不可逆氧化还原行为，且随着自组装时间的增加表观电极反应速率常数值显著减小,最后减小为0,并对此进行了解释.     

π-σ-π型单分子电子器件:分子内电子转移及其外电场效应

将由联苯阴离子和中性萘之间通过刚性环己烷所连接的经典的电子转移体系作一构象修正，得到一个π-σ-π型分子。UHF/6-31G**研究表明，此体系具有更高的能垒和小得多的电子转移耦合，而且其耦合几乎完全通过环己烷桥上的化学键实现。外电场效应的研究进一步发现，该体系在无外场条件下几乎没有电子转移反应发生，但当外电场增至0．001463au时，反应的能垒消失，其电子转移速率达到10^5d^-1数量级。所有特征均显示，该体系具有作为单分子电子器件的分子原型的巨大潜力。     

含金属锡铟的导电银厚膜的抗氧化机理研究

通过在导电银电子浆料中添加适量的金属锡铟粉末,得到一种新的抗氧化银浆,并采用丝网印刷技术制备银厚膜.探讨了厚膜在自然时效氧化和硫化氢气氛中硫化氧化的过程及机理,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)对银厚膜表面的微观形貌和元素成分进行分析.结果表明,含金属锡铟的银厚膜比纯银厚膜具有更好的抗氧化性.热力学分析表明,添加的金属锡铟与氧气、硫化氢反应的Gibbs自由能比纯银的小,更易在厚膜的晶界/孔洞缺陷处发生氧化反应,延缓银的氧化,从而提高银厚膜抗氧化能力.