电大尺寸导体附近线天线的辐射方向图研究

采用一致性几何绕射理论分析了电大尺寸导体对其附近的对称振子天线辐射方向图的影响,计算了在三种不同环境下的天线方向图,结果与软件(FEKO)仿真结果吻合良好.为分析工程中复杂的电大尺寸目标,提供了重要的参考依据.     

采用遗传算法由电流环的近场测试识别辐射源

针对电大尺寸的电流环,通过遗传算法找到最佳等效基本辐射器.采用EMSCAN电磁干扰扫描系统进行电流环的近磁场测试,从而作出远场预测,并与仿真结果和半电波暗室的测试数据相比较.     

高能工业CT用新型X射线源焦斑测量

 为了获得较高的空间分辩率，设计了一种新型小束斑驻波电子直线加速器，该加速器取消了加速腔中的鼻锥结构，而在耦合腔中设置鼻锥结构。用狭缝法代替小孔法测得X射线源的焦斑尺寸为1.4mm。讨论了射线源焦点对成像质量的影响，分析了在高能条件下小孔法不适合用于焦点测量的物理原因，用4种测量方法测量了该高能X射线源的参数，测得该系统的成像极限分辩率为2.5 lp/mm，最后对实验结果进行了分析。     

移动互联网背景下电视大学向开放大学转型升级

近年来,移动互联网技术的快速发展使移动信息技术已经逐步渗透到现代教育的许多领域。在当前移动互联网的背景下,进行移动学习资源建设和教育资源的共享,实现移动互联网和传统的远程教育相结合,促进教育模式不断推陈出新,从而逐步建立适应时代要求的中国特色开放大学。     

有球形损耗物的矩形开孔电大腔的PWB分析

从功率平衡(Power Balance,PWB)方法提出以来,对开孔腔体的圆形孔缝研究居多,且为了弥补PWB方法对于开孔腔内存在损耗物质的腔内平均场值研究,用PWB方法研究了在平面电磁波照射下有球形损耗物质的矩形开孔电大腔内的平均场值水平,随着入射频率的升高,此结果与全波分析软件所得结果的吻合度越来越高,验证了其有效性。并且发现在各入射频点下,当球形损耗物质的相对介电常数为恒定值时,随着球形损耗物质电导率的逐渐增大,矩形开孔电大腔内的平均场值水平逐渐趋于稳定。     

ROHM开发出比以往产品小50%的世界最小晶体管“VML0604”

正日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备,开发出世界最小尺寸的晶体管"VML0604"(0.6mm×0.4mm,高度0.36mm)。本产品已于2013年10月份开始出售样品(样品价格80日元/个),计划于2014年6月份开始以月产1000万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为     

更大的尺寸更宽的桥梁BlackmagicDesignUltraStudio4K使用初体验

BlackmagicDesign公司（以下称BMD）一向以高性价比、新兴技术创新发展特性著称，今年随着4K超高清影像的发展，BMD公司推出了诸多相关4K规格产品，从前端的4K数字摄影机的诞生到中段的4K切换台再到后端的4K后期平台，产品线逐步完善BMD公司推出的6G—SDIUltraHD制作流程，今天带给大家的是BMD推出的UltraStudio4K采集回放解决方案。     

研究课题“2012年世界无线电大会1.19议题的研究”通过结题

2011年12月13日～14日，无线通信技术工作委员会频率工作组（TC5 WG8）第50次会议在北京召开，有三十余名代表参加了本次会议。     

不同尺寸的NdFeB稀土永磁体热退磁行为研究

针对不同类型及不同尺寸的两类NdFeB永磁体分别研究了它们随温度变化的热退磁行为。采用样品的整体剩余磁通来表征热退磁过程中磁体性能的变化。结果表明,Pc较小的永磁体温度稳定性较差,随温度的升高,样品的剩余磁通迅速衰减;Pc<<0.1的普通型永磁体,温度为100℃时样品的剩余磁通损失超过60%。高矫顽力型永磁体比普通型磁体具有更优越的温度稳定性和高温性能。温度升高主要导致磁体矫顽力降低,140℃时普通型磁体的矫顽力降低约80%,而高矫顽力型磁体的矫顽力只降低了约20%。     

平板电视发展新动向

一、"半导体显示"概念延伸未来想象空间近年来,TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示)、PDP(等离子)和OLED(有机发光二极管)等平板显示技术均取得了长足发展。但是,无论从产品竞争力和生命力,还是从下一代平板显示技术制高点的战略角度看,TFT-LCD产业在相当长一段时间内仍然将是平板显示产业的主要力量,但AM-OLED(有源OLED)发展也不能小觑。理性地看待平板显示技术的发展,AM-OLED是很有潜力的,但判断AM-OLED产业能够在多长时间与TFT-LCD规模相当,