第三讲 半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用

人们对半导体中的电子空穴对在库仑互作用下形成的激子态及其有关的物理性质进行了深入研究．激子效应对半导体中的光吸收、发光、激射和光学非线性作用等物理过程具有重要影响，并在半导体光电子器件的研究和开发中得到了重要的应用．与半导体体材料相比，在量子化的低维电子结构中，激子的束缚能要大得多，激子效应增强，而且在较高温度或在电场作用下更稳定．这对制作利用激子效应的光电子器件非常有利．近年来量子阱、量子点等低维结构研究获得飞速的进展，已大大促进了激子效应在新型半导体光源和半导体非线性光电子器件领域的应用．     

高压真空灭弧室的电场设计

真空灭弧室广泛用于额定电压在36kV以下的中压领域。但由于必须克服诸如电场设计等方面的一些技术问题，它很少应用于高压领域。屏蔽罩、场梯电极和主触头等各种电极装置必须予以考虑。通常，真空中的这些电极结构的耐受电压可以用电场分布出来。局部电场增强和电极面积会使耐受电压有一定程度的下降，因此必须考虑局部场强增加取决于电极材料、表面处理和老炼。有效面积与电极表面局部电场强度的平均值有关。因此，还需要实验数据来获得辅助的信息，必须出屏蔽罩和CuCr或Cu触头的雷电冲击电压。本文对被试电电极结构的电场增强因子和面积效应进行了估算，最后对高压真空灭弧室的设计结果进行了讨论。     

Intraband Dynamics and Terahertz Emission in Biased GaAs/In0.53Ga0.47As Semiconductor Superlattices

Using an excitonic basis, we investigate the intraband polarization, optical absorption spectra, and terahertz emission of semiconductor superlattice with the density matrix theory. The excitonic Bloch oscillation is driven by the dc and ac electric fields. The slow variation in the intraband polarization depends on the ac electric field frequency. The intraband polarization increases when the ac electric field frequency is below the Bloch frequency. When the ac electric field frequency is above the Bloch frequency, the intraband polarization downwards and its intensity decreases. The satellite structures in the optical absorption spectra are presented. Due to excitonic dynamic localization, the emission lines of terahertz shift in different ac electric field and dc electric field.     

通胀的另类思考

治理通胀，只有一个选择：货币政策应从总量调控转向价格调控。如果你是上帝，请你提高供给；如果你不是，请你尽早加息。     

数字电路板的EMC检测和分析

电路板形成的磁场天线和电场天线往往是构成整机设备最大的干扰源,会给整机工程师造成很大的困难,同时,设计初期考虑电路板的EMC问题,可以降低成本,提高产品合格率,缩短开发周期.这里通过介绍EMSCAN扫描系统的电路板EMC检测功能,结合实际案例,提出对数字电路板的检测和分析方法,并总结引起数字电路板EMC问题的各种原因和对策,其能为数字电路的EMC设计提供帮助.     

外加电压对分子器件电子输运特性的影响：非线性输运性质

根据第一性原理计算了由外电场引起的分子的几何结构和电子结构的变化，并利用弹性格林函数的方法计算了分子器件的电输运特性，从而研究了外电场对1,4-苯二硫酚分子电子输运特性的影响。计算结果表明，对于前线分子轨道，能级的移动和分子末端格点的展开系数在低电压范围内随外电压基本成线性变化。外电场对分子器件的伏安特性有很明显的影响，特别是对电导曲线的形状。考虑电场后的理论结果与实验结果符合得较好。     

TEA CO2激光器的电极与放电研究

阐述了目前TEACO_2激光器几种常见电极的设计方法与结构,分别比较了它们的优缺点。用模拟电荷法计算了近似Rogowski电极和Chang电极的电场强度,将计算结果与各自放电实验图片作了对照和分析。计算与实验结果吻合,达到了均匀放电的效果,最后提出了改进建议。     

阳极连接中的物理学

介绍阳极连接技术和阳极连接过程中的物理现象以及有关阳极连接的初步理论。     

指数掺杂GaAs光电阴极量子效率的理论计算

将GaAs光电阴极发射层掺杂浓度由体内到发射表面从高到低的进行指数掺杂，能在发射层形成一个恒定的内建电场，有利于光电子的逸出.在考虑内建电场的作用下，通过建立和求解少数载流子所遵循的一维连续性方程，得到了反射式和透射式指数掺杂阴极的量子效率公式，并利用这些公式对其量子效率进行了理论计算和仿真.计算结果显示发射层指数掺杂能较明显的提高阴极的量子效率，与均匀掺杂阴极相比，能使反射式阴极积分灵敏度提高约20%，透射式阴极提高30%以上.指数掺杂提高阴极量子效率的主要原因与内建电场有关，光电子在内建电场作用下以扩散加漂移的方式到达阴极表面，从而减小了后界面复合速率对阴极的影响，同时提高了阴极的等效电子扩散长度. 关键词： 指数掺杂 内建电场 能带结构 量子效率