New Latency Model for Dynamic Frequency Scaling on Network-on-Chip

Modulating both the clock frequency and supply voltage of the network-on-chip （NoC） during runtime can reduce the power consumption and heat flux, but will lead to the increase of the latency of NoC. It is necessary to find a tradeoff between power consumption and communication latency. So we propose an analytical latency model which can show us the relationship of them. The proposed model to analyze latency is based on the M/G/1 queuing model, which is suitable for dynamic frequency scaling. The experiment results show that the accuracy of this model is more than 90%.     

核电站继电保护控制电路卡的检测和维修技术

介绍了一种新型继电保护控制卡件(以下简称卡件)的检测技术--老化状态检测法:通过对电路图原理分析,确定各个电路节点的基准工作电压(设计电压)、维持正常工作的极限工作电压(上、下限),以及状态转换的时间,再根据具体的电路卡件来设计一个状态检测装置,对卡件进行非破坏性的检测和试验,即可知道被检测的卡件是否还能正常工作;如果检测时输入卡件的序列号,形成每个卡件专有的历史性能数据,就可根据各个节点的电压或者状态转换时间的趋势变化,评估卡件上某些元器件的老化状态,这样就可以在卡件失效前发现问题,避免卡件故障影响核电站的正常运行;对卡件进行恢复性维修,延长卡件的寿命。通过对LG_A325E过流保护卡件和LG_A326E过负荷保护卡件的检测和维修,取得了预期的检测结果,并意外地发现了卡件设计上的缺陷,提出相应的解决措施。     

吸收电容对LED电源EMI的抑制实例分析

根据LED驱动电源的认证经验,其EMC测试项目中的电源端子骚扰电压和30~300 MHz辐射骚扰场强测试项目不容易合格,而且经过整改往往会增加电源成本。以一款单端反激式LED驱动电源为例,首先,介绍了单端反激式开关电源的工作原理;然后,探讨开关管MOSFET的漏极和源极并联小容量吸收电容后对驱动电源EMI的影响。通过对比测试结果发现,吸收电容的加入对原测试不合格的LED驱动电源起到了良好的EMI抑制作用,最终使得产品符合标准要求。此方法操作简单,成本低廉,为整改工程师提供参考。     

电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响

掺硼金刚石(BDD)薄膜电极具有很宽的电势窗口、很小的背景电流、很高的电化学稳定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优点。采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法制备掺硼金刚石薄膜,并用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)这三种测试方式进行表征。BDD薄膜电极在电解过程中消耗很多能量。从提高氧化效率来降低能耗的角度出发,研究了电压及电极间距对BDD薄膜电极电化学氧化效率的影响。通过实验得出电压在5~13 V时电化学氧化效率会随着电压的升高而升高;电极间距在0.5~4 cm时电化学氧化效率随着电极间距的增大而降低。     

天诚TCD-829 DVB机常见电源故障检修五例

[例1]故障现象：开机无任何显示,无图无声。 分析与检修：该机以电源控制芯片DH321为核心元件,附图为根据实物绘制的电路原理图,图中已标注关键点电压值,供维修时参考。查开关电源各组电源均无输出电压,查桥式整流电路后滤波电容C4两端有300V直流电压,说明电源输入电路无故障,判断故障应是DH321本身及其外围电路发生故障使电源不能启动所致。     

电工小创新(五) 第一章 简易小制作

正(接上期)6电子调压器交流电压可以通过脉宽调制(PWM)的方式进行调节,调节后的各项指标和普通调压器十分接近,具有推广价值。我利用此原理制作了电子调压器,取得了满意的结果。6.1 PWM调节交流电压的原理6.1.1电子调压器的主电路1.电路结构如图1-34所示,L_1、N是交流电压的输入端,L_(01)、N是经过调节后的输出端,LD是负载。为了能够调节输出电压,电流的路径必须流经能够控制电路通断的开关器件VT。VT可以采用IGBT管,也可以采用功率MOSFET管。2.电流的路径(1)正半周电流在输入电压的正半周,电流从L_1进,N出,电流的路径是:L_1-VD_1-VT-VD_2-L_(01)-LD-N,如图1-34(a)所示;     

基于RB-IGBT的T型逆变器中点电压控制技术仿真研究

文章首先分析了基于 RB-IGBT的三相T型逆变器的拓扑结构和开关模态,深入阐述了 T型逆变器中点电压不平衡的原因并提出了针对性的抑制算法。最后利用 MATLAB/Simulink模块搭建了系统仿真模型,结果表明采用该算法的 SVPWM控制实现了T型逆变器的三电平输出,而且中点电压也得到了有效控制。     

电力系统的稳定性与无功补偿的关系

在电力系统中,无功功率分布的合理与否直接关系到系统的电压稳定性和系统运行的经济性.文中对电力系统无功功率的补偿问题进行了讨论,希望能够通过合理的无功功率补偿来提高电能质量.     

车载负性CLCD电光特性研究

彩色液晶显示器件(CLCD)在相同电压驱动条件下,各波长电光特性有很大差异,从而对图像显示的色彩饱和度有较大的影响。用UV-Vis8500型双光束紫外/可见分光光度计测量在不同电压驱动下负性TN-LCD,STN-LCD和VA-LCD的电光特性,分析比较其三基色的电光特性、阈值特性和陡度随波长的变化关系。结果表明,TN-LCD的Vth、Vsat和V50随波长的增大而减小,而Vth、Vsat和V50减小的快慢基本一致;STN-LCD的Vth、Vsat和V50随波长的增大而减小,而Vth、Vsat和V50减小速度在各波长上快慢不一;VA-LCD的Vth、Vsat和V50都是随着波长的增加而逐渐增大,而Vsat增大速度比V50快,V50增大速度比Vth快。对常用三种不同负性液晶显示器件驱动电压的选取进行比较分析,其结果为CLCD选取驱动电压提供一定的指导作用。     

Simulating and modeling the breakdown voltage in a semi-insulating GaAs P+N junction diode

This work aims to determine the characteristic PN junction diode, subject to a reverse polarization, while I （breakdown voltage） of the inverse current in a GaAs specifying the parameters that influence the breakdown voltage of the diode. In this work, we simulated the behavior of the ionization phenomenon by impact breakdown by avalanche of the PN junctions, subject to an inverse polarization. We will take into account both the trapping model in a stationary regime in the P＋N structure using like material of basis the Ⅲ-Ⅴ compounds and mainly the GaAs semi-insulating in which the deep centers have in important densities. We are talking about the model of trapping in the space charge region （SCR） and that is the trap density donor and acceptor states. The carrier crossing the space charge region （SCR） of W thickness creates N electron-hole pairs： for every created pair, the electron and the hole are swept quickly by the electric field, each in an opposite direction, which comes back, according to an already accepted reasoning, to the crossing of the space charge region （SCR） by an electron or a hole. So the even N pair created by the initial particle provoke N2 ionizations and so forth. The study of the physical and electrical behaviour of semiconductors is based on the influence of the presence of deep centers on the characteristic I（V） current-tension, which requires the calculation of the electrostatic potential, the electric field, the integral of ionization, the density of the states traps, the diffusion current of minority in the regions （1） and （3）, the current thermal generation in the region （2）, the leakage current in the surface, and the breakdown voltage.