一种应用于RFID标签的新型功率放大器设计

A novel matching method between the power amplifier (PA) and antenna of an active or semi-active RFID tag is presented. A PCB dipole antenna is used as the resonance inductor of a differential power amplifier. The total PA chip area is reduced greatly to only 240 × 70 μm² in a 0.18 μm CMOS process due to saving two on-chip integrated inductors. Operating in class AB with a 1.8 V supply voltage and 2.45 GHz input signal, the PA shows a measured output power of 8 dBm at the 1 dB compression point.     

一种具有衬底n型电荷区的高压LIGBT

本文基于4μm漂移区厚度提出一种具有衬底浮空n型电荷区的新型LIGBT（NR-LIGBT）。由于n型电荷区的电场调制作用,器件的纵向击穿特性得到加强,击穿电压得到明显的提高。由于高的单位微米平均电场,因此新器件具有面积成本低、电流能力强和关断时间短的特点。模拟结果表明：在相同的100μm漂移区长度下,新结构的击穿电压比常规结构（C-LIGBT）提高了58％。并且,在相同的阻断能力下,新结构的关断时间短于常规器件。     

无光耦合器的100V隔离型单片反激式稳压器在-55～150°C的结温范围内工作

凌力尔特公司推出新的高可靠性(MP级)版本LT3512,该器件是一款高压隔离型单片反激式稳压器,可在-55~150°C的结节温范围内工作。这款器件简化了隔离型DC/DC转换器的设计。LT3512无需光耦合器、第3个绕组或信号变压器以实现     

用于DDR电源及终端的高效率、双通道、±3A同步降压型稳压器符合DDR/DDR2/DDR3标准

凌力尔特公司推出一款高效率、双通道、单片式、同步降压型开关稳压器LTC3618,该器件能够为DDR/DDR2/DDR3及未来需要供应和吸收电流的标准存储器应用产生电源电压和总线终端电压。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的VDDQ电源,该电源能输送±3 A输出。一个内部电阻分压器负责将VTT DDR终端电源和VTTR基准电压设定为等于施加至VDDQIN输入端之电压的一半,并在VTT和VTTR上分别提供了±3 A(供应/吸收)和±10 mA的输出电流能力。VTT输出可在低至0.5 V的电压条件下运作,以支持所有DDR标准。     

基于N型工艺的基准电压源设计

针对传统互补型带隙基准电压源在只有N型有源器件工艺中的局限性,采用运放反馈的闭环控制方法来产生基准电压,设计了一种可以集成于只有N型有源器件和无源元件工艺中的基准电压源产生电路。为只存在N型MOS或者NPN型晶体管、没有P型器件、难以用传统的带隙电压源结构来产生精确参考电压的特定工艺,提供了一种具有良好的电源抑制比特性和有效地补偿N型器件结压降变化的负温度系数的基准电压源电路;并提出了提高反馈回路稳定性的措施。     

NBX系列增加的新产品

ON Semiconductor进一步扩充其硅晶体振荡器(XO)时钟模块产品阵容。NBX系列新增的6款器件具有双电压能力和同类领先的总频率稳定度(低至±20 ppm),提供高性价比、高精度的参考时钟方案。这些新器件符合路由器、交换机、服务器及基站等应用中最新2.5 V/3.3 V低压正射极耦合逻辑(LVPECL)设计的时钟产生要求。     

一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计

模拟电路一般包含电压基准和电流基准,这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是密切的.产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流.文章提出了一种基于2 μm双极工艺设计的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单、性能好.用模拟软件进行仿真,其温度系数为30×10-6/...     

36V输入双通道800mA微功率降压型稳压器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出双通道800 mA、36 V输入降压型开关稳压器LT3688,该器件具双通道上电复位定时器和一个看门狗定时器。     

用于智能功率集成电路的PTG-LDMOST

提出一种用于智能功率集成电路的基于绝缘体上硅(SOI)的部分槽栅横向双扩散MOS晶体管(PTG-LDMOST)。PTG-LDMOST由传统的平面沟道变为垂直沟道,提高了器件击穿电压与导通电阻之间的折衷。垂直沟道将开态电流由器件的表面引向体内降低了导通电阻,而且关态的时候耗尽的JFET区参与耐压,提高单位漂移区长度击穿电压。仿真结果表明:对于相同的10微米漂移区长度,新结构的击穿电压从常规结构的111V增大到192V,增长率为73%。     

IGBT的栅驱动设计

IGBT是一种新型的电压控制型电力半导体器件,伴随太阳能、风能、汽车电子等新能源时代的到来,IGBT在现代电力电子技术起着核心作用,而IGBT的栅驱动设计是IGBT的应用首要前提,本文研究IGBT栅驱动电压,驱动功率和驱动电阻的设计,以及通过试验证明不同驱动电阻的驱动条件下对IGBT应用的影响。