并联型有源滤波器空间矢量预测电流控制

为了提高有源滤波器(APF)的电流跟踪性能,本文采用电压空间矢量预测电流控制方法。该方法在当前采样时刻预测下一采样时刻的指令电流,计算出APF在下一采样时刻的输出端参考电压,再利用电压空间矢量调制得出控制开关信号,以达到电流跟踪控制目的。仿真实验表明,该方法具有更好的电流控制效果。     

安森美半导体推出多款新LDO线性稳压器

安森美半导体推出3种新系列的宽输入电压、低压降（LDO）线性稳压器。公司广受欢迎的NCP58x系列也增加了新器件．进一步增强了公司在此领域的强劲实力。     

高压侧电流检测放大器LT6107

引言 LT6107是凌力尔特公司(Linear TecIlnology Corpo-ration)推出的一款简单小巧、多功能高压侧电流检测放大器,是一种简单易用的通用器件,具有高输入电压范围、高精度、宽工作温度范围、低失调电压、低电源电流等特性,是MP级器件,能够应用到自动装置、工业设施及电源管理等产品中,可满足汽车、军事和工业以及其他严酷环境中的应用需求.     

电力电子器件知识讲座(六) 功率场效应管的应用电路

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以电力电子器件知识为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

三相并网Z源逆变器控制策略研究

对Z源逆变器空间矢量脉宽调制技术进行了分析,在此基础上应用Matlab/Simulink仿真研究了Z源电容电压外环和有功、无功电流内环的双闭环控制策略,其中,有功、无功电流采取了前馈解耦控制,仿真结果验证了并网控制策略的有效性.     

DT-101微型数字卫星接收机LNB供电电路原理与检修

DT-101微型数字卫星接收机属直流供电机种,非常适合室外寻星。与大多数常用的便携式数字机相比,其LNB供电电路的构成和原理有很大差别,现简要介绍该机LNB供电电路的原理与检修。     

卓异ZY-2250D(小飞鸽)数字机故障检修五例

[例1]故障现象:开机无图无声,前面板显示正常。分析与检修:前面板显示正常表明电源基本正常,用另一台正常的数字机与室外天馈系统连接,能正常收视,说明室外单元正常,数字机应存在故障。检查电源及LNB供电电路未发现异常,看来故障应     

一种新的Halo掺杂圆柱围栅MOSFET阈值电压解析模型

通过在圆柱坐标系中精确求解泊松方程,建立了全新的Halo掺杂圆柱围栅MOSFET静电势,电场以及阈值电压的解析模型。与采用抛物线电势近似法得到的解析模型相比,当沟道半径远大于氧化层厚度时,新模型更为精确。模型还考虑了Halo区掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道半径对器件阈值电压特性的影响。结果表明,采用中等程度的halo区掺杂浓度、较薄的栅氧化层以及较小的沟道半径可以有效改善器件的阈值电压特性。解析模型与三维数值模拟软件ISE所得结果高度吻合。     

First-principles study on transport properties of zigzag graphene nanoribbon with different spin-configurations

The current-voltage (I-V) characteristics and the transmission spectrums of zigzag graphene nanoribbon with different spin-configurations are investigated by using the first-principles calculations. It is shown that the current-voltage curves and the transmission spectrums strongly depend on the spin-configurations of the two sides of the ribbon. For the spin-parallel configuration structure, the curve is linear under lower bias voltage; For the spin-antiparallel configuration structure, there is a strong spin-polarization-dependent transmission which implies the ribbon can be used as a spin filter; while for other spin-configurations structures, the curve has the characteristic of semiconductor. It is found that there is a large magneto-resistance(MR) when the bias voltage is small. The impurity in the central scattering region significantly influences the spin-dependent current and the spin filter efficiency, which may lead the large MR to disappear.     

室温下nc-Si/SiO2多层膜结构中的共振隧穿现象

采用等离子体淀积和原位氧化技术,并结合后续的热退火处理制备了nc-Si/SiO2 多层膜结构。通过电流电压特性对室温下器件中的载流子输运过程进行了表征。在正向和反向偏压下的电流电压特性曲线中都表现出了由于共振隧穿引起的负微分电导。共振隧穿产生的峰值电流对应的电压值与器件结构中的势垒层厚度相关,势垒层越厚,发生隧穿的峰值电压越高。文中通过器件的能带结构简图和等效电路图对正向、反向偏压下的共振隧穿峰值电压差异进行了细致的分析。