全文获取类型
收费全文 | 8348篇 |
免费 | 1062篇 |
国内免费 | 673篇 |
专业分类
化学 | 225篇 |
晶体学 | 25篇 |
力学 | 78篇 |
综合类 | 30篇 |
数学 | 13篇 |
物理学 | 1309篇 |
无线电 | 8403篇 |
出版年
2024年 | 28篇 |
2023年 | 143篇 |
2022年 | 168篇 |
2021年 | 204篇 |
2020年 | 133篇 |
2019年 | 195篇 |
2018年 | 108篇 |
2017年 | 195篇 |
2016年 | 256篇 |
2015年 | 262篇 |
2014年 | 606篇 |
2013年 | 431篇 |
2012年 | 659篇 |
2011年 | 717篇 |
2010年 | 598篇 |
2009年 | 708篇 |
2008年 | 827篇 |
2007年 | 515篇 |
2006年 | 560篇 |
2005年 | 582篇 |
2004年 | 427篇 |
2003年 | 355篇 |
2002年 | 208篇 |
2001年 | 183篇 |
2000年 | 158篇 |
1999年 | 124篇 |
1998年 | 92篇 |
1997年 | 104篇 |
1996年 | 98篇 |
1995年 | 77篇 |
1994年 | 66篇 |
1993年 | 55篇 |
1992年 | 57篇 |
1991年 | 48篇 |
1990年 | 43篇 |
1989年 | 55篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
871.
872.
873.
874.
基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层参数的敏感度,而且在漂移区引入一个附加的电场峰值,使漂移区电场分布进一步趋于平坦化。与传统Single RESURF和普通Double RESURF器件相对比,击穿电压可以分别提高约13.5%和4%,导通电阻却提高了11.8%和6%,但在满足击穿电压相等的条件下,该结构通过控制P-top层的位置和漂移区剂量可以使导通电阻降低约37%。 相似文献
875.
主要介绍了微波混合集成电路ESD设计的一些探索工作,对两种不同功能和形式的混合集成电路的抗静电能力和电路中的薄弱部位进行了研究和分析.依据实验摸底结果并结合电路的自身特点,有针对性地进行ESD保护电路设计,既有效提高了电路的抗静电能力,又保证电路的微波电性能不受较大的影响.试验结果表明,运用这种电路后,使得HE393B宽带放大器防静电能力从300 V提高到1 500 V,HE010电压产生器达到800 V. 相似文献
876.
对比欧洲及美国标准中的插头跌落试验方法,分析两类标准在试验设备、试验要求、试验对象、结果判定方面的差异及各自特点,得出需要根据插头特点和相应的标准进行跌落试验的结论。 相似文献
877.
<正> Intersil公司推出的ISL8120集成了两个电压模式同步降压PWM控制器,用来控制两个独立的电压稳压器或一个两相单输出稳压器。ISL8120利用锁相环电路输出的相位移可编程时钟信号,能将系统扩展到3、4、6、8、10相和12相等,并带所期望的交错相位移。为使并联电源模 相似文献
878.
879.
880.
大约从1990年开始,本公司研究开发了和主流产品萤光显示管(VFD:Vacuum Fluorescent Display)相同的真空管式平板显示电场发射型显示器(FED:Field Emission Display)。开发当初使用VFD用的低电压激发萤光粉(ZnO:Zn),以利用200V到800V驱动的低电压型为中心,配合阳极电压。 相似文献