新标准

GBFF17626．17-2005《电磁兼容试验和测量技术直流电源输入端口纹波抗扰度试验》;GB／Z18039．6-2005《电磁兼容环境各种环境中的低频磁场》；GB/T17626、14-2005《电磁兼容试验和测量技术电压波动抗扰度试验》     

Hasco公司SPDT30A继电器

Hasco Components International公司推出HAT900系列30A(常开／常闭)继电器。这种SPDT型产品据称是同类引脚构形的继电器中额定电流最高的一种。DC线圈电压为3V到48V，电流额定值达到40A。这种继电器的开关电压为28VDc或277VAC(有负载)。120VAC和277VAC时的功率额定值分别为1HP和2HP，适于电机或电器应用。     

电子制造无铅化已迫在眉睫

最近有报道，欧盟于2004年8月份启动关于电子垃圾的法规一《报废电子电器设备指令》，中国家电企业向欧盟出口的电子产品将被额外征收一笔垃圾回收费用。其中，每出口一台彩电或者一部手机，将被征收l～20欧元的垃圾回收费，一些大型电器还会更高。有分析预测，此举将使中国家电对欧洲出口减小30％-50％。而禁止使用六种有害物质的指令将在2006年7月生效，还有一定的缓冲时间。     

Processor Controller：ST发布低成本ST7Lite8位微控制器开发组件

安森美半导体目前推出集成待机和高电压启动功能的组合式PFC／PWM控制器NCP1603。     

电源供电不良引起的“马赛克”故障

维修实践中发现，VCD机出现“马赛克”故障，很多情况下是电源不良引起的，特别是采用变压器降压型的电源电路更易出现此类故障，这是由于变压器降压稳压电源稳压电路简单，适应电压范围较窄，电源电路元件易发热，因此，带负载能力较差。一般可按以下方法进行维修。     

一种用于模数转换器的高性能差分参考电压源

介绍了一种可直接应用于模数转换器的低功耗、高性能差分参考电压源.它采用新型结构的带隙基准源产生高精度温度补偿的参考电流,参考电流通过跨导缓冲器直接转换成所需的差分参考电压.该差分电压精度高、温漂小、抗干扰能力强.电路选用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积为250μm×350μm.经测量,电路功耗为0.9mW,输出差分参考电压的平均温度系数为9.5×10-6K-1.     

右特性管FU811单功放的魅力

FU811是直热式碳化钨阴极功率三极管，灯丝电压6.3V，电流4A，最大阳极电压1．25kV，最大阳极耗散功率40W，FU811系右特性三极管，工作时有栅流产生，笔者设计制作一款单端放大器，音色之靓，与805、813单端功放难分伯仲，约有10W以上功率，而工作最高压不超过600V。     

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度

研究了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度φeff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度φeff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度φeff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,从而导致等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐增大.在中等归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率和电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率相平衡,等效势垒高度达到最大值.在高归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率高于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐下降,直至晶界击穿.同时分析了等效势垒高度φeff对泄漏电流IL的影响,发现泄漏电流与等效势垒高度差Δφ呈指数关系.     

如何加强信号路径的性能

为传感器提供缓冲 若传感器无法驱动模拟/数字转换器的电容负载,可以利用运算放大器为其提供缓冲.由于许多应用系统都规定只可采用一个电源供应,因此所选运算放大器的工作电压必须与模拟/数字转换器的电压相同,这一点非常重要.虽然共用供电电压有助于精简系统设计,节省成本,但运算放大器因为受供电电压的掣肘,以致其输入输出能力无法得到充分发挥.以ADC121S101为例,由于芯片的参考电压（VREF）也同时是供电电压,因此选用设有轨到轨输出（RRO）功能的运算放大器如LMP2011较为理想.     

In0.83Al0.17As倍增层对In0.83Ga0.17As/GaAs雪崩光电探测器的特性影响

倍增层对雪崩光电探测器内部载流子的碰撞电离至关重要,因此,采用三元化合物In_0.83Al_0.17As作为倍增层材料,借助器件仿真工具Silvaco-TCAD,详细探究了In_0.83Ga_0.17As/GaAs雪崩光电探测器的倍增层厚度及掺杂浓度对其内部电场强度、电流特性和电容特性的影响规律。研究表明,随着倍增层厚度的增加,器件的电场强度和电容呈减小趋势。同时,倍增层掺杂浓度的增大会引起电容和倍增层内的电场强度峰值增加。进一步研究发现,随着倍增层厚度的增加,器件的穿通电压线性增大,击穿电压先减小后增大,但倍增层掺杂浓度的增加会引起器件击穿电压的减小。此外,用电场分布和倍增因子的结合解释了器件穿通电压与击穿电压的变化。