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Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1
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ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
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RobetKrause KhoiTran JohnConstantino 《世界电子元器件》2004,(4):31-32
电动汽车常被喻作“归来的孩子”,因为这项技术在多年前进入市场后便一直沉寂,直至最近才再次活跃起来。其实,电动汽车早于1835年首次于美国出现,到1899年,纽约市接近90%的出租车都是由电力驱动。然而,当电力启动器和内燃机变得完善时,电动汽车的使用就迅速衰退。随着如今对环境保护的关注,由燃烧碳氢化合物造成的污染,加之汽油成本高升的影响,再次 相似文献
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By using the measure of von Neumann entropy, we numerically investigate quantum entanglement of an electron moving in the one-dimensional Harper model and in the one-dimensional slowly varying potential model. The delocalized and localized eigenstates can be distinguished by von Neumann entropy of the individual eigenstates.There are drastic decreases in von Neumann entropy of the individual eigenstates at mobility edges. In the curve of the spectrum averaged von Neumann entropy as a function of potential parameter λ, a sharp transition exists at the metal-insulator transition point λc = 2. It is found that the von Neumann entropy is a good quantity to reflect localization and metal-insulator transition. 相似文献
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We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results. 相似文献
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TonyArmstrong 《世界电子元器件》2004,(7):38-39
许多微处理器和数字信号处理器(DSP)需要一个核心电源和一个在启动期间必须进行排序的输入/输出(I/O)电源。如果未经过适当的电源排序,可能发生闭锁或过流,从而损害微处理器的I/O端口或诸如存储器、逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或数据转换器之类支持设备的I/O端口。为了确保在主电源电压未被适当偏置之前I/O负载不被驱动,对核心电源电压和I/O电源电压进行跟踪是必要的。 相似文献