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31.
通过对ZnS∶Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS∶Zn,Pb的性能优于ZnS∶Ag,Cl和ZnS∶Zn,可适用于FED等低压显示器。  相似文献   
32.
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.  相似文献   
33.
《电子设计技术》2005,12(11):I0021-I0028
小封装低电压开关和多路复用器推动便携式电子产品的广泛应用.随着移动电话、MP3播放器和掌上电脑(PDA)等便携式电子产品不断地要求增加功能和性能并且不断地缩小封装尺寸,要求每一种集成电路(IC)的设计都需要相应地缩小封装尺寸,同时提高其性能水平。  相似文献   
34.
电动汽车常被喻作“归来的孩子”,因为这项技术在多年前进入市场后便一直沉寂,直至最近才再次活跃起来。其实,电动汽车早于1835年首次于美国出现,到1899年,纽约市接近90%的出租车都是由电力驱动。然而,当电力启动器和内燃机变得完善时,电动汽车的使用就迅速衰退。随着如今对环境保护的关注,由燃烧碳氢化合物造成的污染,加之汽油成本高升的影响,再次  相似文献   
35.
巩龙龑  童培庆 《中国物理快报》2005,22(11):2759-2762
By using the measure of von Neumann entropy, we numerically investigate quantum entanglement of an electron moving in the one-dimensional Harper model and in the one-dimensional slowly varying potential model. The delocalized and localized eigenstates can be distinguished by von Neumann entropy of the individual eigenstates.There are drastic decreases in von Neumann entropy of the individual eigenstates at mobility edges. In the curve of the spectrum averaged von Neumann entropy as a function of potential parameter λ, a sharp transition exists at the metal-insulator transition point λc = 2. It is found that the von Neumann entropy is a good quantity to reflect localization and metal-insulator transition.  相似文献   
36.
We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results.  相似文献   
37.
基于I2C总线的ADS1100型16位模/数转换器   总被引:1,自引:0,他引:1  
ADS1100是采用2.7v~5.5V单电源供电的连续自校准模/数(A/D)转换器。它具有分辨率高、接口简单、比例放大、功耗低、体积小等优点。ADS1100采用电源电压为基准电压,可按比例进行A/D转换,同时带有差分输入且具有高达16位的分辨率。  相似文献   
38.
AAT2603的在4mm×4mmTDFN封装内集成T6种电源功能,包括两个降压转换器和4个LDO,每个都带有独立控制管脚。其输入电压是2.7~5.5V,为整个负载范围提供高效供电。  相似文献   
39.
基于单片机的节电照明控制系统   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文以AT89C52单片机为核心研制了一台新型的节电照明控制系统,给出了系统的工作原理、硬件结构和软件流程。实际使用证明,该控制系统可使日光灯在电压波动范围较大的情况下,使其处于较佳运行状态,节电效果明显,具有优良的控制效果。  相似文献   
40.
许多微处理器和数字信号处理器(DSP)需要一个核心电源和一个在启动期间必须进行排序的输入/输出(I/O)电源。如果未经过适当的电源排序,可能发生闭锁或过流,从而损害微处理器的I/O端口或诸如存储器、逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或数据转换器之类支持设备的I/O端口。为了确保在主电源电压未被适当偏置之前I/O负载不被驱动,对核心电源电压和I/O电源电压进行跟踪是必要的。  相似文献   
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