单级功率因数校正电路及其开关应力分析

文章给出了几种单级功率因数校正电路的拓扑结构，计算和分析了其功率开关管上的电压应力和电流应力。为设计功率因数校正电路选择适宜的电路拓扑结构提供了一种依据。     

谐振型开关电源

通过对行输出级电路和传统开关电源的分析，把谐振原理应用于开关电源中，这种电路具有零电压开关特性，从而有效地降低了开关过程的功耗，提高了转换效率，并对其所存在的问题以及解决方法提出了一些看法。     

单相电压源变换器减少开关次数调制算法的研究

作为基本的电力电子变换器,单相全桥结构两电平电压源变换器包括单相电压源逆变器、单相并网逆变器、单相电压源整流器和单相有源电力滤波器,具有广泛的应用场合。鉴于单相电压源变换器具有多解性,可以寻找一种减少开关次数的调制算法,以便降低开关损耗。本文根据三相电压源全桥结构两电平电压源变换器的最小开关次数调制算法,设计了一种适合单相全桥结构两电平电压源变换器的最少开关次数的调制算法,在理论分析的基础上,采用MATLAB/SIMULINK进行了仿真验证。     

基于两相静止坐标系三相电压型PWM整流器控制策略的研究

本文研究了基于两相静止坐标系中的三相电压源型PWM整流器的控制方案,引入广义积分器实现三相电流在两相静止坐标系下跟踪控制。仿真结果证明了文中所提出的控制策略的有效性和可行性。     

低DCR检测电流模式控制器比电压模式控制器有更多优势

新一代微处理器和DSP需要以更低的工作电压提供更大的电流,因此电流检测元件的电阻需要尽可能小,以最大限度地降低电源传导损耗。然而,低电阻电流检测元件产生的斜坡电压较低,这在使用电流模式控制器时,不利于稳定运行。低斜坡电压导致采用电流模式控制方法的开关电源有显著抖动,在很多应用中,开关电源可能变得不稳定。因此,通常由电压模式控制器取而代之,尽管电压模式控制器也有不足之处,并可能出现可靠性问题。本文提出了一种新的电流模式双输出DC/DC降压型控制器,解决了此问题。     

一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器

采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,放大器实现了8～48dB的增益连续变化,差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc,最大增益处噪声系数为8.7dB,50Ω负载下三阶输出截点为14.2dBm.     

基于LT spice的传输线波状态分析

通过多个集总电路级联的方式来模拟传输线,利用LTspice的列表功能对不同状态下的模拟传输线进行测试分析,仿真计算其特征阻抗、反射系数、电压驻波比等重要参数,系统的说明了传输线源端阻抗和终端负载阻抗对电磁波状态的影响.     

改进21FS彩管会聚品位

本文运用6Sigma工具定量分析了由于21FS彩管QPF电子枪的受聚焦电压影响SP光点位置相对移动,从而导致产品在用户处静会聚一致性差的重要原因。并通过设计优化电子枪偏孔设计特点,从理论和试验实践上解决了聚焦电压对21”静会聚的影响。     

表面光电压技术在Si外延过程中的应用

介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。提出了在外延工艺前后,用SPV法测试同一p型控片中少子的扩散长度和体Fe含量,对比前后值的大小来监测Si外延工艺过程中的沾污情况。分别给出了衬底片、石墨基座、HCl、SiHCl3、外延腔体等5种Si外延过程中最常见沾污源的监控和识别流程,特别以平板式外延腔体为例,具体说明了识别及排除Fe沾污所运行的工艺程序,并对Fe沾污的测试结果进行了分析,确定了Fe沾污的来源。     

基于低压高精度运放的带隙基准电压源设计

基于传统带隙基准源的电路结构,采用电平移位的折叠共源共栅输入级和甲乙类互补推挽共源输出级改进了其运算放大器的性能,并结合一阶温度补偿、电流负反馈技术设计了一款低温度系数、高电源电压抑制比(PSRR)的低压基准电压源。利用华润上华公司的CSMC 0.35μm标准CMOS工艺对电路进行了Hspice仿真,该带隙基准源电路的电源工作范围为1.5～2.3 V,输出基准电压为(600±0.2)mV;工作温度为10～130℃,输出电压仅变化8μV,温度系数为1.86×10-6/℃,低频时PSRR为-72 dB。实际流片进行测试,结果表明达到了预期结果。