基于超级电容的列车制动能量回收控制策略

针对列车电制动回馈能量回收与利用问题,文中通过分析列车运行特性,重点探究了列车运行过程与牵引网电压波动之间的关系。结合牵引变电所供电功率与列车用电功率动态不匹配特性,采用车载式制动能量回收利用系统的方案,提出了基于列车用电功率动态变化的超级电容充放电控制策略。该方案主要由超级电容串并联储能单元和双向DC-DC变换器组成。利用MATLAB进行建模仿真分析,结果表明,该控制策略在有效回收利用列车制动能量的同时抑制了牵引网电压波动,为列车制动能量回收与利用提供了有效的解决方案。     

Direct Synthesis of Oxygenates from Water and Methane via Dielectric-barrier Discharge

In this investigation, a clean, atomic economic and direct synthesis of oxygenates (methanol, ethanol) form water and methane via dielectric-barrier discharge was developed at room temperature and under atmospheric pressure. The effect of discharge voltage on this process was studied. The results showed that the conversion of water can be as high as 7%, the selectivity of methanol and ethanol can be as high as 100%.     

基于定向纳米碳管气体放电的气敏传感器研究

介绍了一种基于定向纳米碳管的气敏传感器,以生长定向纳米碳管的氧化铝模板作为阳极,铝板作为阴极,利用纳米碳管的尖端发射效应,在较低的电压下使气体产生放电现象。通过对纳米碳管在气体中击穿电压和放电电流的测量,实现对气体的定性定量检测。同时纳米碳管气敏传感器还具有体积小、灵敏度高、稳定性好、响应速度快、在常温常压下即可进行检测等优点,具有较好的应用前景。     

铜在3%NaCl溶液中腐蚀行为的光电化学研究

Cu以其优异的导电性、导热性和易加工性广泛用于工农业生产中．自然Cu的腐蚀和防腐成为人们很关注的问题．人们已经注意到，Cl-对Cu的腐蚀有影响，并进行过一些研究．但目前使用光电化学方法研究这一问题的文章尚不多见，特别是利用测量开路光电压及其瞬态波形这一现场的、无损的、灵敏的监测方法研究户对Cu电极腐蚀全过程的文章尚未见到．本文正是利用如上方法及XPS，AES方法，研究了Cl-对Cu电极腐蚀的全过程，取得了一些有意义的结果．1实验方法Cu电极用99．99％（质量分数）的Cu制成，面积约为39mm2；电极底部由Cu导线焊接引出，…     

基于双12位DAC的高精度直流电压/电流源设计

本文论述了一种通过使用双通道DAC实现高精度直流电压源与电流源的方法,不仅兼顾了动态范围和分辨率,还节约了成本。除了理论分析外,给出了硬件设计电路图,并进行了测试,验证了该设计的可行性。     

TI针对车载音频推出D类放大器

凌特公司（Linear）目前宣布推出同步降压＋升压型DC／DC转换器LTC3454，法器件可优化从单节锂离子电池输入以1A电流驱动单个大申流白光LED。根据输入电压和LED岛高正向电压的不同，该稳压器自动工作在同步降压、同步升压或降压一升压模式。这在大电流LED应用中尤其重要，因为根据电流值的不同，LED正向电压可能在2．7～4．9V的范围内变化。     

DC-DC变换器中双开关网络的平均模型及其应用

根据电感上电流的断续情况,开关变换器可以工作在连续导电模式(CCM)和断续导电模式(DCM).开关网络的等效变比μ(t)可以被认为是CCM开关网络占空比d(t)的另一种表达式.因此,以CCM变换器为例的模型结果还可以用在其他工作模式,甚至可以使用于其他结构的变换器,需要处理的只是用μ(t)代替d(t).等效变比可以用作判断工作模式的标准.在这个仿真电路中,用平均开关模型子电路CCM-DCM代替了由功率场效应功率管和二极管组成的开关网络.     

Alloy Temperature Dependence of Offset Voltage and Ohmic Contact Resistance in Thin Base InGaP/GaAs HBTs

研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象.从晶体管基本物理机制推导出Voffset与集电极、发射极面积比Ac/Ae的关系,并用此解释了U形发射极HBT具有较小Ac/Ae的原因,进一步证明了U型发射极结构的优越性.     

双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析段宝兴

在单面阶梯埋氧型SOI结构的基础上,提出了一种双面阶梯埋氧SOI新结构.双面阶梯的电荷积累作用使其纵向电场突破了传统上受界面电荷为零限制的3倍关系,埋氧层的电场可以高达200V/μm;而且双面阶梯对表面电场的调制作用使其表面电场达到近乎理想的均匀分布.借助二维MEDICI数值分析软件,验证了此结构具有同时优化横向SOI基高压器件横、纵向电场,提高击穿电压的优点.     

Analytical Model for the Piecewise Linearly Graded Doping Drift Region in LDMOS

提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业软件Tsuprem-4和Medici模拟证明了该模型十分有效,根据该模型优化得到的新型LDMOS的击穿电压和导通电阻分别比常规LDMOS增加58.8%和降低87.4%.