连续运转低增益激活介质增益特性的测量研究

采用锁定放大技术和滤光技术,测量了连续运转低增益激活介质的增益特性。给出了不同输入光强下的增益系数。实验结果表明本法对干扰和噪声是不敏感的,精确度高。     

快速,低失真电压反馈式运算放大器

概述:AD9631/9632的大信号带宽为175/180MHz,失真特别小,AD8036/8037具有可变电压箝位输出。 AD9631、AD9632、AD8036和AD8037电压反馈式运放由AD公司XFCB(超高速互补双极性)工艺制造,以低价格提供了非常突出的性能。AD9631和AD8036在单位增益时稳定(G≥±1),而AD9632和AD8037胜任电压增益幅值≥+2V/V或-1V/V的应用场合。两个系列的性能完全     

光折变晶体中ps激光脉冲二波耦合增益正负转换现象

用二列脉宽为60ps的连续锁模Nd:YAG激光的倍频光在掺Ce的KNSBN晶体中进行二波耦合.当泵浦光脉冲迟于信号光脉冲到达晶体,或泵浦光脉冲虽先于信号光脉冲到达晶体.但时间提前量小于激光脉冲半高宽时.信号光的二波耦合平均增益是非负的;当泵浦光脉冲先于信号光脉冲到达晶体且时间提前量大于激光脉冲半高宽时.信号光的二波耦合平均增益可变为负的.对此给出物理解释.     

用于中子位置灵敏探测器的SiPM性能研究

为满足中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)工程材料衍射谱仪的探测器需求,CSNS探测器组设计并研制了基于硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)读出的闪烁体探测器。本工作针对该探测器,选取了Sensl MicroFJ-30035-TSV和Hamamatsu S13363-3050NE-16两种型号的SiPM,开展了其击穿电压、增益、温度特性、暗计数率等关键性能的测试。测试结果显示,两者单光子分辨能力,增益、暗计数率等性能均可满足当前闪烁体探测器需求,相同过偏压下,前者增益高于后者,且Hamamatsu SiPM增益对温度更敏感。测试了两SiPM的温度补偿系数分别为22.0 mV/℃(Sens1)和53.6 mV/℃(Hamamatsu),为后续SiPM温度补偿电路设计奠定了基础。利用研制的探测器工程样机,在CSNS BL09下测试了两种SiPM读出的探测器对2.8 ?中子探测效率分别为76%和68%,为目标探测器及同类型探测器的SiPM选型提供了参考。     

新型电压监测统计仪

介绍一种新型电压监测设计仪的设计原理，电路及软件流图，该仪器采用许多新技术，克服了以往同类仪器中存在的很多问题，不仅增加了ＩＣ卡存储，遥控，远动通信等新功能，而且可靠性大大提高。     

TDK—EPC推出电网分析用便携式测量设备

TDK—EPC推出爱普科斯研制的完整测量系统，用于测量和储存i相低压电网的电气参数。MC7000—3设计用于测量50Hz或60Hz时范围介于3×30VAC至440VAC（L—N）和3X50VAC至690VAC（L—L）的电压。使用夹式电表最高可以记录3000A电流。除了测量电压、电流和线频率之外，     

获得激光增益的新方法

本文提出一种获得激光增益的新方法,它不要求在工作物质内建立能级粒子数反转,文中给出了工作条件和增益系数。     

单片机实现增益控制一致性

在导弹和卫星测量勤务中,单脉冲体制的跟踪雷达占有很重要的地位。本文着重讨论用单片微机这种新手段实现多通道增益一致性的方法。     

高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器

级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜,获得了较低的下拉电压.测试结果表明,相移器的下拉电压不大于40V,且当控制电压大于10V时,即有明显的相移.该MEMS相移器制备于电阻率大于4000Ω*cm的高阻硅衬底上,获得了较好的传输特性,在整个测试频段1～40GHz,S21均小于3dB,并在25V时获得了大于25°的相移量.