Magnetic Tunnel Junctions with MgO／Al-O Composite Barriers

Magnetic tunnel junctions (MTJs) with structures of Ta(5 nm)/Cu(30nm)/Ta(5 nm)/Ni79Fe21 (5 nm)/Ir22Mn78 (12 nm)/Co62Fe20B18 (4 nm)/MgO(d)/Al(0.8 nm)-oxide/Co62Fe20B18 (6 nm)/Cu(30 nm)/Ta(5 nm) on a thermally oxidized Si wafer substrate were fabricated by magnetron sputtering and photolithographic patterning method. The tunnel magnetoresistance (TMR) and the bias dependence of TMR at room temperature for the MTJs with different thickness d of MgO are investigated. TMR values of over 50% as high as those of the MTJs with pure Al-O barrier and the TMR-voltage curve asymmetries, which vary with the increase of d, are observed in the MTJs with hybrid barriers after annealing at 265℃ for an hour. The dependences of TMR, resistance and coercivity of the MTJs with composite barriers on temperature are also investigated.     

现过载延迟的晶体管

尽管SMPS(开关电源)本身能防止永久性短路．但在遇到瞬时过载时有时会出问题。瞬时过载并非短路．但却会使电源超出其标称负载值。这种情况会在开关电源连接典型负载如打印机头和小型电机时发生。在面对这样的负载时电源可能会很容易触发保护电路尤其是在开环增益很高的情况下。由于控制器无法保持电压恒定不变你会看到初级输出电压园失去反馈电流而降低。     

配备11个通讯通道的32位CAN内置微控制器

意法半导体推出一个新的电子电表IC代号为STPM01，新产品集成了全电子电表所需全部核心电路，可以在最简单的低端应用中充当独立的电表，或者在基于单片机的复杂电表中用作系统外设，以支持远程测量、无功功率测量、多重电价和防篡改功能。STPM01采用ST的BCD6智能制造技术，能够在同一个芯片上集成所需的全部的模拟、数字和功率电路。主要模块包括模拟信号调节、两个模数转换器、一个硬连线的数字信号处理器（DSP）、一个连接外部单片机的SPI接口、一个用于调校配置芯片的56位OTP（一次性可编程）块、一个在低端应用中驱动步进电机显示器的电压频率转换器和两个给模拟3V和数字1．5V电路供给的限流低压降稳压器。     

热释电激光能量计

本文通过求解热传导方程分析了几种脉冲辐射作用下热释电信号的解析表达式。用简化模型和数值计算两种方法着重讨论了在近似激光脉冲辐射作用下，信号电压的规律性。得到了峰值电压正比于激光能量的条件和结论。介绍了PLEM-1型激光能量计的原理结构、电路和性能，并对仪器误差进行了初步分析。     

单片CMOS直流电压转换器

一块单片CMOS芯片可生成RS—232—C接口所需全部电压,它的关键是可同时用于正、负电压的双电荷泵。单片直流电压转换器还可以用于分布式电压生成,提供系统中各部分所需的稳定输出电压。     

采用BiCMOS制造工艺的高速运算放大器

意法半导体推出一系列超低噪声和超低功耗的高速运算放大器产品，新器件的目标应用为逻辑分析仪、示波器、视频驱动器、影像系统和电池供电的仪表。这个产品系列采用高速的BiCMOS技术和电流反馈结构，采用量产的BiCMOS制造工艺。在新推出的三个产品中，其中一个专门用于低电流和高带宽应用，而另外两个瞄准超低噪声的应用。TSH310的最大静态电流仅为400μA，带宽达到130MHz，压摆率115V／μs。这款低功耗的器件采用微型SOT-23封装，特别适合尺寸紧凑的手持应用，同时还提供SO-8封装。TSH330和TSH350的压摆率和带宽都很高，TSH330的带宽达到1．1GHz，压摆率达到1800v／μs，噪声（等效输入噪声电压）仅为1．3nV／sqrtHz。TSH310的典型静态电流保证低于470gA，典型输入噪声电压7．5nv／sqrtHz，输出级是为驱动高速ADC专门优化的，线性（SFDR）在F=1MHz时为-87dBc，在F=10MHz时为-55dBc（2Vp-P，1000Ω负载）。TSH330的单位增益带宽频率1．1GHz，静态电流仅为16mA，典型输入噪声电压1．3nV／sqrtHz。在增益为2时，增益平坦性0．1dB，频率高达160MHz，输出级是专门为驱动100Ω负载的视频或仪表线路优化的，SFDR在F=10MHz时为-78dBc，在F=20MHz时为-73dBc（2Vp-p,1000Ω负载）。TSH350带宽410MHz，压摆率940V／μs，静态电流4．1mA，输入噪声电压低达1．5nV/sqrtHz，输出级也是专门为驱动100Ω负载优化的，     

模拟与混合信号

测量用高速低功耗的16位A／D转换器；单芯片RF可变增益放大器；单电源轨到轨输入／输出运算放大器；两款频率达千兆赫以上的高速放大器；可降低功率损耗的无RSENSE电子断路器；单片多普勒移相器。