DC-DC变换器中双开关网络的平均模型及其应用

根据电感上电流的断续情况,开关变换器可以工作在连续导电模式(CCM)和断续导电模式(DCM).开关网络的等效变比μ(t)可以被认为是CCM开关网络占空比d(t)的另一种表达式.因此,以CCM变换器为例的模型结果还可以用在其他工作模式,甚至可以使用于其他结构的变换器,需要处理的只是用μ(t)代替d(t).等效变比可以用作判断工作模式的标准.在这个仿真电路中,用平均开关模型子电路CCM-DCM代替了由功率场效应功率管和二极管组成的开关网络.     

Alloy Temperature Dependence of Offset Voltage and Ohmic Contact Resistance in Thin Base InGaP/GaAs HBTs

研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象.从晶体管基本物理机制推导出Voffset与集电极、发射极面积比Ac/Ae的关系,并用此解释了U形发射极HBT具有较小Ac/Ae的原因,进一步证明了U型发射极结构的优越性.     

Analytical Model for the Piecewise Linearly Graded Doping Drift Region in LDMOS

提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业软件Tsuprem-4和Medici模拟证明了该模型十分有效,根据该模型优化得到的新型LDMOS的击穿电压和导通电阻分别比常规LDMOS增加58.8%和降低87.4%.     

多级染料激光放大器中激光增益与放大自发辐射强度的理论研究

利用激光增益和放大自发辐射 (ASE)理论 ,对不同条件下的染料激光放大器的激光增益和ASE强度进行了数值计算。分析了当入射光强远小于和大于有效饱和光强时 ,激光增益和ASE强度与入射光相对强度的关系 ,讨论了在两种条件下ASE系数以及染料池端面反射系数对激光增益和ASE成分的影响。最后利用这些结果 ,对连续激光的多级染料放大系统的优化设计进行了讨论。     

电爆炸箔断路开关的理论和实验研究

 采用金属箔电爆炸过程的二维数值计算模型，对含电爆炸金属箔断路开关的电感储能脉冲功率调节系统进行了数值计算。以此为基础，研制出了一种低电感型的电爆炸箔断路开关，并以4μF/75kV脉冲电容器组作为初级能源，13Ω电阻作为负载进行实验研究。研究结果表明：在负载上可获得约250kV，脉宽大于400ns的脉冲电压。     

纳秒级光脉冲多程放大物理模型研究

在纳秒级光脉冲多程放大研究中,Lowdermilk解析解仅考虑了增益完全恢复和完全不恢复两种极端情况.实际上,在脉冲间隔时间内放大器的增益恢复很可能介于完全恢复和完全不恢复之间.直接从速率方程出发,建立脉冲通量与激光上、下能级粒子数的相关方程,推导出上、下能级粒子数密度在脉冲与放大器发生相互作用时间间隔dT前后的递推关系,从而解决了增益不完全恢复问题.另外,把该模型的计算结果与Lowdermilk解析解和多程放大实验结果做了比较,分析了弛豫效应对能流放大特性的影响,并得到了比较准确、可靠的结果.     

碲基掺铒光纤放大器增益均衡的数值模拟

针对宽带碲基掺铒光纤放大器(EDTFA)本征增益谱不平坦特性,研究了采用双级串连结构,并在两段光纤中间加入增益均衡滤波器来实现增益平坦.模拟结果显示,通过设计一定结构的滤波谱,在37信道同时输入的情况下,铒离子掺杂浓度为4000 ppm时,使1536～1608 nm范围带宽内的增益达到了24 dB左右,噪声指数小于5.5 dB,增益谱的不平坦度小于1 dB;铒离子掺杂浓度为6000 ppm时,使1536～1608 nm范围带宽内的增益达到了23.5 dB左右.噪声指数小于5 dB,增益谱的不平坦度小于1dB.优化后的级连EDTFA可以满足WDM系统的要求.     

非对称电阻场板场效应器件击穿特性仿真分析

利用TCAD仿真研究一种二维紧耦合电阻场板电流调制原理下的物理模型与最优化结构。通过优化关键工艺与材料参数,改善器件漂移区尖峰电场,最终在相同漂移区掺杂下击穿电压较一维PN结理论击穿电压提升273%,相同归一化击穿电压10%变化范围下,漂移区电荷变化允许冗余范围比现有传统PN超结拓宽15倍。相较于对称电阻场板场效应器件,在现有工艺下非对称优化电阻场板场效应器件能够更好的实现结构小型化与高密度的设计。     

电源端子骚扰电压测试系统的校准

文章主要介绍了测试电子产品的电源端子骚扰时,如何对测试系统带来的误差进行校准,并准确地给出测试修正因子。     

运算放大器饱和特性对微分电路响应的影响

用运算放大器构造的微分电路可能存在饱和现象,导致输出与输入电压之间不满足微分关系,使微分电路失去应有性能。在应用时应该避免出现饱和现象,在教学中则应使学生理解饱和现象的特点。本文详细分析了在脉冲电压作用下微分电路的输入输出关系,重点是输出饱和时,微分电路模型的建立和分析方法。基于仿真工具和实验手段,对理论分析结果进行了验证。分析内容可以作为电路理论、电子技术、电工学等课程教学内容的扩展。