天线罩电厚度反射测试探头失配补偿与校准

电厚度是雷达天线罩重要的电性能参数,反射测量是天线罩制造过程中常用的电厚度检测方法,但测试探头与被测天线罩的失配反射限制了反射法的测量范围.在分析失配原理的基础上,设计了一种基于T波导结构的贴合式探头,可以利用可调衰减器和滑动短路器的简单组合,补偿消除失配反射信号.给出了调节校准方法,并通过数值仿真和实际测量,验证了设...     

加压型毛细管粘度计的测量方法及注意事项

在测量流体(主要是非牛顿流体)的粘度及其流变性能时,常采用加压型毛细管粘度计,该粘度计具有结构简单、测量方便、量限宽、便于清洗等优点。笔者就其测量原理及其在实际测量中的使用方法和注意事项进行了探讨。1加压型毛细管粘度计的测量原理1.1测量原理加压型毛细管粘度计(以     

电驱系统带载电磁兼容测试与仿真闭环研究

新能源汽车主要的电磁干扰风险来源于电驱系统高压器件的开关行为,根据GB/T 18655-2018、GB/T 36282-2018以及相关企业标准,电驱系统的电磁兼容性能必须严格管控在规定的范围内。针对这一难题,提出了一种新能源汽车电驱系统带载工况的电磁兼容闭环开发技术,主要包括测试平台开发、测试装备开发和仿真平台开发三个关键环节。重点针对电驱系统带载测试装备和仿真平台开展研究,研制了一套符合标准要求的穿墙式电驱系统带载测试装备,基于某集成电驱系统建立了电驱系统带载仿真平台,通过仿真与测试验证了模型的准确性,并进行了参数分析和电磁干扰性能优化,形成了闭环的电磁兼容性能管控体系。     

有机噻吩类衍生物作为电致变色材料*

噻吩类衍生物包括聚噻吩衍生物和齐聚噻吩衍生物。本文从有目的地设计、合成噻吩类衍生物的角度出发,探索了其作为电致变色材料的应用,综述了噻吩类衍生物作为电致变色材料的最新研究进展。     

聚乙二醇类表面活性剂对硅表面无电沉积Ag膜光滑作用研究

应用原子力显微镜技术及开路电位～时间谱技术,研究了非离子表面活性剂聚乙二醇2000,6000,20000对硅(100)表面无电沉积银膜的光滑作用.实验表明硅(100)表面无电沉积银的光滑程度以及镀层的质量均随聚乙二醇聚合度的增加而变好.     

复合电沉积的最新研究动态

综述近年来国内外复合电沉积技术最新研究动态.重点探讨纳米复合镀层,电催化复合镀层以及光活性复合镀层等方面的研究现状和发展趋势.纳米复合镀层比一般的复合镀层具有更高的硬度,更好的耐磨性和耐蚀性;电催化复合镀层则可在纯金属电极,合金电极的基础上进一步降低电极反应的过电位.以金属氧化物,导电聚合物作为基质材料的电催化复合镀层已为现代复合电沉积技术开辟了一个新领域.     

二甲基甲酰胺中电沉积制备钐钴合金

稀土;恒电位电沉积;柠檬酸;二甲基甲酰胺中电沉积制备钐钴合金     

Cole-Cole方程参数对细胞介电频谱的影响

为探讨Cole-Cole方程8个参数(Δε1,Δε2,εh,κl,f1,f2,β1,β2)对细胞介电频谱的影响,采用改变单个参数,固定其他参数的方法,观察介电频谱的变化.结果显示:Δε1影响低频介电频谱和Cole-Cole(ε′)图;Δε2影响高频介电频谱、Cole-Cole(ε′)图和Cole-Cole(κ′)图;εh影响ε′(f)、Cole-Cole(ε′)图和tgδ(f);κl对κ′(f)和Cole-Cole(κ′)图有影响;f1影响低频介电频谱;f2影响高频介电频谱;β1影响Cole-Cole(ε′)和tgδ(f);β2对高频介电频谱有影响.可见Cole-Cole方程作为细胞介电频谱的数学模型,其参数变化有规律可循.     

Sn-Ag-Cu三元合金焊料电沉积中添加剂的影响研究

Sn-Ag-Cu三元合金是目前最为理想的Sn-Pb合金替代品,采用电沉积的方法来制备Sn-Ag-Cu三元合金,具有生产效率高、设备简单、维护方便、镀层性能优良等优点。通过霍尔槽实验确定了电镀液的配位体系;通过微观形貌表征、电化学腐蚀测试以及阴极极化曲线测试,确定了镀液中使用的光亮剂种类及二者的比例;通过微观形貌表征的方法,确定了电镀液中的分散剂;通过测定镀液中Sn²⁺离子的浓度变化,确定了镀液中的稳定剂。结果表明,当使用柠檬酸铵和硫脲作为配位剂,光亮剂选用苄叉丙酮和聚乙二醇,分散剂选用聚丙二醇,稳定剂选用抗坏血酸时,镀液阴极极化作用强,稳定性强,镀层致密平整,抗腐蚀能力强。     

La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其电性能的研究

系统研究了在LaAlO3,SrTiO3和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长和电输运特性,测定了薄膜的电阻-温度关系.研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征;在LaAlO3衬底上在700℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理.