SECM微纳米定位建模及控制器设计

为适应扫描电化学显微镜(SECM)常规应用中100nm左右的微定位精度需求,同时降低其微定位控制器的成本,在分析SECM压电工作台运动定位数学模型的基础上,结合SECM实际应用中的特点,将压电工作台数学模型进行了合理的简化,并在此基础上设计了算法简单且易于实现的开环微定位控制器。以CHI900B型扫描电化学显微镜的三维压电工作台为实验对象进行建模和控制器设计,实验结果表明,压电工作台运动定位平均跟踪误差和最大跟踪误差分别为0.093、0.115μm,误差约0.1μm,可满足SECM常规应用中的微定位精度需求。建模过程和控制器设计简单易行且无须额外的微定位传感器,适于SECM的常规应用。     

电化学电容器充放电循环的微机测试系统

为了更好地评价电化学电容器的充放电循环寿命性能,采用恒定负载法进行充放电试验。测试系统硬件由微机和数据采集卡以及取样控制电路组成,应用软件的开发工具采用VB6.0,在Windows 2000操作系统下运行。系统除了能自动完成电容器充放电循环寿命试验外,还具有实时显示电容器充放电电流变化曲线,并将每个充放电循环周期的电流数据以文件的形式自动保存下来等功能。     

云环境下基于虚拟机动态迁移的调度策略研究

针对目前云环境资源调度采用静态负载均衡策略易于导致资源浪费的问题,提出了一种双限定值的虚拟机动态迁移的调度策略.该策略将当前负载状况与负载过重或过轻时两个限定值比较,选择介于二者之间能耗较低的虚拟机迁移至目标节点.仿真实验表明,该策略能够减少迁移次数,降低虚拟机迁移能耗,从而尽可能达到负载均衡和满足服务等级协议的需求.     

热氧化GaN制备的β-Ga2O3基日盲紫外探测器

利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga₂O₃薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga₂O₃薄膜制备成MSM型β-Ga₂O₃基日盲紫外探测器,在260nm光照及10V偏压下,器件的响应度为16.9A/W,外量子效率为8×10³%,探测率D*达到了2.03×10¹⁴Jones,能够满足弱光信号的探测需求。此外,器件的瞬态响应具有非常好的稳定性,相应的上升时间为0.75s/4.56s,下降时间为0.37s/3.48s。     

FeS2和CoS2在长寿命热电池中的性能比较

长寿命热电池研制的关键技术之一是阴极材料的确定，在长寿命热电池的研制中，选择并制备了两种阴极材料二硫化铁和二硫化钴。从单体电池实验和电池组实验方面分别对两种阴极材料的电化学性能进行比较。     

气体和气溶胶在多孔介质中迁移的数值模拟

为了研究多孔介质对气体和气溶胶的封闭能力,用数值方法模拟了气体和气溶胶在多孔介质中的迁移.考虑了渗透、吸附过滤、扩散、热传导等因素,在柱对称坐标下用双孔双渗模型进行了数值模拟,并与实验结果进行了比较.计算结果显示,多孔介质对气溶胶有较强的阻挡作用,模拟实验结果也证明了这一点.     

电化学法制备CdSexTey薄膜及其光电性能

以Cd(NO3)2·4H2O,Na2 SeO3和Na2TeO3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备了CdSexTey薄膜样品.探讨了沉积电压、水浴温度、沉积时间以及Cd,Te和Se物质的量比等制备条件对样品在模拟太阳光下的开路电压的影响.结果表明,在沉积电压为3.0V,水浴温度为50℃,沉积时间为30 min,n(Cd)∶n(Te)∶n(Se)=5.6∶1∶1时制备的CdSexTey薄膜具有较高的开路电压,其值可达到0.464 1 V.X射线衍射(XRD)分析结果显示,CdSexTey样品中含单质态Se,CdSexTey的3个主要衍射峰对应的晶粒尺寸分别为43.07,44.56和44.03 nm.能谱分析(EDS)结果显示,样品中Cd,Te,Se元素的质量分数分别是6.53％,6.25％和14.52％,原子数分数分别为1.68％,1.42％和5.32％.对Cd元素原子数分数进行归一化处理,则样品CdSexTey中x为3.17(其中有化合态Se2-为0.15,单质态Se为3.02),y为0.85.     

电迁移对Ni/Sn63Pb37/Cu焊点界面反应的影响

研究了在125℃,1×103 A/cm2条件下电迁移对Ni/Sn63Pb37/Cu BGA焊点界面反应的影响.回流后,在焊料/Ni界面处形成Ni3Sn4、在焊料/Cu界面处形成Cu6Sn5的金属间化合物.随着电迁移时间增加,芯片侧金属间化合物转变为(Cu,Ni)6Sn5类型化合物,印制板侧Cu6Sn5金属间化合物类型保...     

原位透射电镜在电化学领域中的应用

原位透射电镜技术作为实时和高空间分辨观测工具,是完善电化学过程监测、剖析机理、研究材料构效关系,进一步提升电化学性能的有力手段.本文在介绍原位液体电镜发展历程的基础上,总结了近年来原位透射电镜技术在电化学沉积、电化学储能、电催化及电化学腐蚀中的应用研究,并针对该技术目前存在的挑战和在电化学领域的进一步应用探索作了总结和...     

室温下Cu/Sn3.5Ag焊点/Cu体系中电迁移引发裂纹的形成

Electromigration （EM） behavior of Cu/Sn3.5Ag/Cu solder reaction couple was investigated with a high current density of 5 × 10^3 A/cm^2 at room temperature. One dimensional structure, copper wire/solder ball/copper wire SRC was designed and fabricated to dissipate the Joule heating induced by the current flow. In addition, thermomigration effect was excluded due to the symmetrical structure of the SRC. The experimental results indicated that micro-cracks initially appeared near the cathode interface between solder matrix and copper substrate after 474 h current stressing. With current stressing time increased, the cracks propagated and extended along the cathode interface. It should be noted that the continuous Cu6Sn5 intermetallic compounds （IMCs） layer both at the anode and at the cathode remained their sizes. Interestingly, tiny cracks appeared at the root of some long columntype Cu6Sn5 at the cathode interface due to the thermal stress.