分布式搜索引擎中页面信息动态迁移算法的研究

针对分布式搜索引擎系统中页面信息分布与动态迁移问题，提出了一种信息的动态迁移算法，并对算法参数进行了实验确定。该算法充分利用用户反馈，使得页面信息在各个站点间达到近似最优的分布。经模拟验证，该算法可以有效地优化信息分布、改善系统性能。     

增材制造TC4钛合金在激光抛光前后的电化学腐蚀性能

对表面已进行喷砂处理的增材制造TC4钛合金在氩气环境下进行激光抛光实验,通过极化曲线测试研究了抛光前、后钛合金的耐蚀性,并结合表面粗糙度、晶粒尺寸、表面残余应力以及显微组织分析了激光抛光对TC4钛合金耐蚀性的影响。研究结果表明:抛光钛合金的自腐蚀电位与自腐蚀电流密度均大于未抛光钛合金,说明抛光钛合金相比于原始钛合金的被腐蚀倾向更小,但其一旦受到腐蚀,腐蚀速率会略大于原始钛合金。自腐蚀电位的升高源于钛合金表面粗糙度的降低,自腐蚀电流密度的增大则是因为表面晶粒的细化以及残余拉应力的存在。     

塑封电子器件负极端变色原因分析

利用X—RAY光电子能谱仪对125°下,通电15kV,96h后负极一端出现白色物质的塑封电容器进行分析。对比分析性氧化铝结发现,负极一端白色物质为氧化铝富集所致。造成该现象的原因是,环氧塑封料中含有活性氧化铝,由于固化不完全或吸潮导致环氧塑封料中残留水分,残留的水分与活合,在电应力的作用下,有向电源负极迁移的趋势;同时,由于温度效应的存在,塑封树脂软化,加速了水分与活性氧化铝向电源负极迁移的速度,形成了氧化铝在负极端富聚现象,使电容器负极端呈现白色。     

不同剂量BF^＋2注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析

借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０１４、５×１０１４、１×１０１５、２×１０１５和３×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在９００℃、３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分布剖面，并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。     

固态电解液阻变存储器导电细丝生长过程的模拟研究

本文对基于固态电解液的阻变存储器导电细丝的微观生长过程进行了蒙特卡洛模拟研究,模拟过程引入了多种物理和化学机制。模拟计算结果表明导电细丝形貌以及导电细丝不同的生长方向由金属离子在电解质材料中的迁移速率所决定。迁移速率较大的情况下,细丝由阴极向阳极生长;迁移速率较小的情况下细丝生长过程表现为从阳极向阴极生长。根据模拟出来的细丝形貌以及电流电压特性,我们对细丝的生长过程进行了详细讨论,模拟结果能很好地吻合实验结果。     

ZnO超细纳米线阵列的制备及其电化学性能

以Zn(NO₃)₂· 6H₂O和C₆H₁₂N₄为原材料,采用二步水热法在碳纤维布上合成了形貌尺寸均匀的ZnO超细纳米线阵列。用 X 射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对其晶体结构和形貌进行了表征,利用恒流充放电测试等手段对其进行电化学性能测试。测试结果表明,材料表现出优异的电化学性能。在200 mA/g的电流密度下循环150次后,ZnO超细纳米线阵列仍然约有730 mAh/g的充放电比容量,库伦效率保持在95%以上。在1 200 mA/g的大倍率条件下,材料的充放电比容量依旧可达481 mAh/g左右,表现出十分良好的循环稳定性和可逆性能,是一种较为理想的锂离子电池负极复合材料。     

Cu@Co双核MOFs衍生碳材料用于黄芩素的电化学传感分析

采用水热法合成了Cu@Co双核金属有机框架（MOFs）材料,以其为前驱体分别在400、500、600℃热解制备了一类MOFs衍生碳材料,并用作电极修饰材料构建了一种检测黄芩素（BA）的电化学传感器。使用电化学交流阻抗技术（EIS）和循环伏安法（CV）研究了该传感器的电化学性能,并在pH 2.0的磷酸缓冲溶液（PBS）中用微分脉冲伏安法（DPV）和CV法考察了BA在不同电极上的电化学行为。结果表明,600℃热解的MOFs衍生碳材料修饰的电极对BA的检测效果最佳。基于此,建立了一种可定量分析BA的新方法,线性范围为5×10-9～1×10-5mol/L,检出限为1.32×10-10mol/L。通过加标回收法对双黄连口服液样品中的BA进行检测,加标回收范围为99.23%～101.80%。     

应变对纳米铜晶界迁移的影响

用分子动力学方法模拟了金属铜纳米双晶中晶界在应变作用下的迁移过程,晶界类型为〈11l〉倾侧∑19晶界。原子问相互作用力采用Finnis-Sinclair型EAM势计算。结果表明：平行于晶界方向的压应变可以促进晶界在相邻品界交互作用下发生迁移;垂直于晶界方向的压应变则不能对晶界迁移产生明显的效果。晶界迁移大致可分为两个阶段,前阶段晶界迁移缓慢,随晶界间距减小,晶界间交互作用加强,使晶界迁移显著加速。     

两种不同方法制备的硅纳米颗粒的特性研究

采用激光烧蚀法和电化学腐蚀法制备硅纳米颗粒,两种方法制备的硅纳米颗粒粒径与形貌都不同,而且紫外-可见吸收谱也有很大差别.分析紫外-可见吸收谱发现,硅纳米颗粒与单晶硅相比发生了能带展宽、吸收边蓝移现象,并且有直接能隙的特点;两种方法制备的硅纳米颗粒的光致发光都与硅颗粒的粒径分布和表面层成分密切相关,并且光致发光谱还随激发波长的变化而规律地改变.用量子限制和表面层成分结合模型分析解释了这些现象.     

半监督学习在恶意软件流量检测中的应用

恶意软件检测是保障网络安全、防止网络异常的关键技术之一。为了解决基于深度学习的恶意软件流量检测方法需要大量人工标注的有标签网络流量样本的问题,同时保持算法的检测精度,提出了一种基于半监督学习与网络流量的恶意软件检测方法,其利用少量有标签网络流量样本与大量无标签网络流量样本训练恶意软件检测模型。实验结果表明,所提出的方法在小样本流量环境中比一般的基于深度学习的恶意软件流量检测方法有更好的性能,可用于现实中有标签数据较少的恶意软件流量检测场景。