异咯嗪蒙脱石修饰电极的电化学行为

应用十六烷基三甲基溴化铵对蒙脱石进行改性，成功地制备稳定性良好的异咯嗪蒙脱石修饰电采，用循环伏安法对此修饰电极的电化学行为进行了研究。测定了异咯嗪在蒙脱石膜内的化学扩散系数，对异咯嗪在改性蒙脱石中电极反应机制进行了探讨。     

不可逆电活性药物米托蒽醌与脱氧核糖核酸的相互作用

研究了抗癌新药米托蒽醌(MXT)的电化学行为及与脱氧核糖核酸(DNA)的相互作用，推导了适用于研究不可逆电活性分子与DNA相互作用的电化学公式，运用该公式可以简便、快速地测定靶向分子与DNA的结合常数和结合位点数。实验发现，MXT与小牛胸腺DNA的结合以蒽醌母核的嵌插作用为主，同时，烃氨基侧链与骨架磷酸基团之间的静电吸引对母核起稳定作用，使化合物易于嵌入DNA的平面结构。MXT与DNA相互作用引起的峰电流的变化可以用于分析测定DNA。     

第九届国际电分析化学研讨会（9th ISEC）简介

由中国科学院长春应用化学研究所电分析化学国家重点实验室主办的“第九届国际电分析化学研讨会 (NinthInternationalSeminaronElectroanalyticalChemistry,简称 9thISEC)”于 2 0 0 3年 1 0月 1 0日至 1 2日在中国科学院长春应用化学研究所隆重召开。会议宗旨是为全世界电分析化学家提供一个高水平的科研论坛 ,以展示最新的研究成果和进展 ,并吸引国际一流电分析化学家来我国进行学术交流 ,推动国际合作 ,促进我国电分析化学研究走向世界前列。会议由汪尔康院士担任大会主席并致开幕词 ,董绍俊院士 (TWAS)担任国际顾问委员会主席 ,电…     

玻璃基片上纳米碳管电极的集成

利用微波等离子体化学气相沉积法在玻璃孔穴中定位生长纳米碳管电极, 分析了负偏压对纳米碳管电极生长的影响. 该电极对铜离子的电化学检测性能分析结果表明, 所制备的纳米碳管电极具有良好的电化学检测性能, 位于－0.0100 V附近的铜离子的还原峰峰形良好, 其电流在铜离子浓度为0.01~0.30 mmol•L^-1时, 与Cu²⁺浓度呈良好的线性关系, 相关系数为0.9975, 且具有较好的长期稳定性和重现性.     

脱氧核糖核酸在汞膜电极上的电化学行为

首次在汞膜电极上利用循环安，微分脉冲和交流伏安法研究脱氧核糖核酸（ＤＮＡ）的电化学行为，结果表明汞膜电极作为一类固体电极可应用于负电位区ＤＮＡ电化学行为的研究。同时结合凝胶电泳和ＵＶ光谱法，研究了用纯高氯酸处理的ＤＮＡ的氧化还原特性，结果表明纯高氯酸可经起ＤＮＡ的变性和降解，纯高氯酸不适宜ＤＮＡ的变性处理。     

Studies on the Electrochemical Characteristics of K2FeO4 Electrode

Discharge performance of K2FeO4 electrode under different conditions was studied by the constant electric current discharge method. The electrochemical characteristics of K2FeO4 electrode were investigated for the first time by means of cyclic voltammetry. The results show that the K2FeO4 electrode made at moderate pressure (20MPa) and discharged at lower current has better discharge performance. It is also found that K2FeO4 electrode is significantly rechargeable.     

微波合成铝掺杂钻酸锂材料及性能研究

以LiOH·H2O，Al2O3和Co3O4为原料，微波加热合成Li离子电池正极材料LiAlxCo（1-x）O2．通过XRD测试表征了不同Al加入量时合成产物的晶体结构，确定当x≤0．4时，产物为单一相层状结构．计算了不同x时LiAlxCo（1-x）O2的晶胞参数，随着x的增大，a值减小，c值增大．对合成LiAlxCo（1-x）O2样品进行DSC—TGA测试，结果表明，当x不同时，合成样品的热稳定性不同．SEM测试表明，合成晶体粒度较均匀，粒径在5μm左右．电化学测试表明，LiAl0.2Co0.8O2的电化学性能最好，首次循环放电容量为127mAh／g，多次循环容量损失率小于LiCoO2．     

电化学扫描隧道显微镜的研制及银、镍的现场电沉积研究

本文报道电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)的研制技术,包括电子线路及绝缘探针尖的制备。研制的ECSTM中,试样和探针的电位能同时控制。绝缘探针的制备包括先用电化学腐蚀形成针尖,然后再在光学显微镜下绝缘,用扫描电子显微镜评定了绝缘针尖的性能。最后用研制的ECSTM现场研究了银、镍在高定向裂解石墨(HOPG)上的电沉积。     

半导体的化学刻蚀

半导体的化学刻蚀，俗称湿法刻蚀，它是半导体器件制作中的一个重要工艺，按照化学作用的原理，它可分为化学反应刻蚀、电化学刻蚀和光电化学刻蚀，半导体的化学刻蚀是在众多刻蚀方法中最基本和最终不能全部被取代的一种方法，它在高新技术中有着各种挂用途，如选择准刻蚀、各向异性刻蚀和计算机控制无掩模刻蚀等。