介电常数的概念研究

在设计电路、天线、电容器等过程中经常会涉及所用材料的介电常数,所以深入了解介电常数的相关概念对实际工作有重要意义。首先介绍了介质和导体、半导体的区别,然后解释了介电常数的基本概念,并给出相对介电常数的另一种导出定义。介质极化的微观模型这一部分讲清楚了4种不同的极化。最后介绍介电常数的一些宏观特性,得出电介质介电常数将会影响电介质中电场强度的结论。     

45nm工艺与关键技术

介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346μm2。指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片,说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟。     

Mechanism of Striation in Dielectric Barrier Discharge

The mechanism of striations in dielectric barrier discharge in pure neon is studied by a two-dimensional particle- in-cell/Monte Carlo collision （PIC-MCC） model. It is shown that the striations appear in the plasma background, and non-uniform electrical field resulting from ionization and the negative wall charge appear on the dielectric layer above the anode. The sustainment of striations is a non-local kinetic effect of electrons in a stratified field controlled by non-elastic impact with neutral gases. The striations in the transient dielectric barrier discharge are similar to those in dc positive column discharge.     

GaN MOS-HEMT Using Ultra-Thin A1203 Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition

We report a GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor （MOS-HEMT） with atomic layer deposited （ALD） Al2O3 gate dielectric. Based on the previous work [Appl. Phys. Lett. 86 （2005） 063501] of Ye et al. by decreasing the thickness of the gate oxide to 3.5nm and optimizing the device fabrication process, the device with maximum transconductance of 150mS/mm is produced and discussed in comparison with the result of lOOmS/mm of Ye et al. The corresponding drain current density in the 0.8-μm-gate-length MOS-HEMT is 800mA/mm at the gate bias of 3.0 V. The gate leakage is two orders of magnitude lower than that of the conventional A1GaN/GaN HEMT. The excellent characteristics of this novel MOS-HEMT device structure with ALD Al2O3 gate dielectric are presented.     

工程电介质本世纪的进展与21世纪的发展热点探讨

电介质学科创建于２０世纪初，其学科内容包括介质极化、损耗、电导和击穿的研究。至世纪中叶，工业背景主要为电气绝缘技术。进入下半世纪，一方面，在高电压输电技术发展的推动下，合成高分子电介质迅速代替天然材料成为主要的研究与开发热点；另一方面，功能电介质（包括铁电、压电材料）开始崭露头角，无线电技术为其应用背景。到世纪末，计算机及光电子信息技术的蓬勃发展，又推动电介质的研究开发进入到微波与光频波段。预测在     

还原音乐本色的加拿大奔腾

加拿大奔腾Argentum Acoustics线材有十年以上的设计和制造经验作后盾，采用优秀的材料、工艺和电介质制造，经手工连接到专业设计制造的接头，并包以优雅的黑色护套。除了银质的Arqento以外，导线都是用99．99997％实验室级UPOCC（单结晶无氧铜）制造，     

也论电位移矢量D仅与自由电荷分布有关的条件

电位移矢量是一辅助矢量，它的引入为计算一些介质问题提供了方便．但由于普物中的静电场介质问题，绝大多数为均匀介质问题，这就使学生常常产生“电位移矢量仅与自由电荷分布有关”的误解．文献［１］对此问题作了说明，但其推导和结论都有些不足．本文试图给出Ｄ仅与电荷分布有关的一般条件式，并对各种电介质进行分析，最后对有关问题做出简略说明．     

Dielectric Response of Graded Spherical Composites

We investigate the effective dielectric responses of graded spherical composites under an external uniform electric field by taking the dielectric function of spherical inclusion, εi = cr^ke^βr, where r is the inner distance of a point inside the particle from the centre of the spherical particle in the coordination. In the dilute limit, our exact result is used to test the validity of differential effective dipole approximation （DEDA） for estimating the effective response of graded spherical composites and it is shown that the DEDA is in excellent agreement with the exact result.     

图尔克推出全球首例全金属超声波传感器

图尔克推出首例用于无菌生产的不锈钢全金属超声波屏蔽传感器。全封装M25U是由图尔克研发的一款被完全地封闭在不锈钢外罩和不锈钢声波转换器表面中的传感器，并且符合IP68／IP69K防护等级。因此，这款由变送器和接收器组成的超声波屏障传感器尤其适用于在无菌生产中检测各类瓶装及罐装容器，例如在过氧化氢环境下进行的装瓶操作。