实验设计——连续改进工艺的工具

1 引言人类追求的最终目标是尽可能不犯错误达到成功。同样,在工业环境中,我们要尽可能无缺陷地生产出高质量高可靠的产品。例如,在莫托罗拉的6σ计划中,目标就是为了将本公司产品的次品率降低至3～4ppm以下。这不仅是生产过程的目标,而且也是公司内人们所做的一切事情的目标,包括:经营决策、行政管理、用工制度、人力资源开发、产品设计和工艺设计、所有的进货验收和出厂检验、以及每一项对产品有影响的活动。该计划的最终目的是为了真正做到使“所有的用户都满意”。     

激光辐照对不同饵料微藻生长的影响

利用Nd:YAG激光(波长1.06μm,功率5W,照射时间0.5-3min)和Ar 激光(波长:488nm,功率70mw,照射时间5-20min)分别照射角毛藻和叉鞭金藻,辐照后进行细胞增殖和生长速率的测定。实验结果表明:照射剂量为1min的Nd:YAG激光及剂量为5min的Ar 激光对叉鞭金藻有较明显的促长效果,这两种激光处理组的细胞增殖量在辐照后的两天内较对照组分别高42.9%和48.1%,但这种促长效果随时间的推移逐渐消失。不同剂量的两种激光辐照角毛藻后,在延滞期均出现生长抑制现象,但进入指数生长期或传代培养后,剂量为1min的Nd:YAG激光及剂量为10min的Ar 激光对角毛藻有明显的促长效果,其中在指数生长期1min剂量的Nd:YAG激光处理可促长27.0%,传代培养后10min的Ar 激光处理组生长速率提高达51.2%。本文对不同激光及不同激光参数条件下,两种饵料藻的耐受性及生长特性的差异也进行分析探讨。本实验结果不仅证实了已有研究的推论,还展示出激光技术在饵料藻种选育中的应用前景。     

面向汽车全套串行EEPROM设备

Integrated Silicon Solution(ISSI)公司面向汽车市场推出全套系列的串行电可擦除只读存储器设备。新产品系列覆盖的范围从1K至64K，支持12C、Microwire与SPI接口协议。新设备由中芯半导体(SMIC)采用0．35微米工艺技术生产，可使待机功耗减少25％，并使SPI设备的速度增至10MHz，可用于各种需要存储独特代码或用户界定代码的汽车应用，包括遥控门锁、带记忆的电动座椅与车镜、无线电设备、里程表及报警系统。     

Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

CSP工艺生产微钛钢中的碳氮化物析出相

在钢中添加一定量的Ti可以提高钢的力学性能。细小的TiN弥散粒子可起到一些有利作用。例如，TiN粒子可以细化钢的铸态组织；减少有害夹杂物的析出；提高奥氏体粗化温度；防止形成过大的奥氏体晶粒等。     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。