Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si （100） Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn

Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission.     

音响产品的外观装饰

本文对音响产品的外观装饰内容作了较全面的介绍，同时也指出了差距和不足，进而是提出了对今后的期望，发展新型装饰材料和有关高新技术，提高管理水平，以期使我国的产品装饰技术大大提高一步。     

锡膏印制中的几个注意问题

介绍ＳＭＤ装配技术中锡膏印刷工艺中的一般性要求，提出了几个要求注意的问题。     

利用正交法优化人造水晶生长工艺

本文介绍了应用正交法优化人造水晶生长工艺的方法并在此基础上提出了生长工艺较为理想的设计；进一步明确了实际生产当中Ｑ值，生长速率，包裹体等各单项指标的优化方法，准确估计目前正使用的生长工艺距理想工艺的距离。从而有效地提高人造水晶生长工艺水平，在实际生产提供可靠的指导依据。本文给出利用正交法优化人造水晶生长工艺的较详细的操作和分析方法。     

193nm光刻技术进展和问题

光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生     

工艺系统刚度产生的误差原理与分析

根据对工艺系统受力变形的分析 ,阐述了工艺系统刚度对零件加工精度的影响 ,并简要提出了提高工艺系统刚度的办法