等离子氨化硅应力的研究

氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。     

生长在GexSi1—x（001）衬底上应变GaAs层的光学性质

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分Ｘ的变化关系，计算结果表明，对所有Ｘ值，ｆｈｃ＝０，ｆＨＣ，ｆＬＣ及ｆＳＣ随Ｘ的变小而变小，ｆＬｃ及ｆＳｃ随Ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使Ｘｘｘｘｘ变小，对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）应     

国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

介绍了国产ＨＶＭ３５０９微波炉专用硅堆的工艺特点和关键设计制造工艺。该产品具有体积小、电流大、压降低、漏电流小和可靠性高等独特优点。研制结果表明：该产品已达到日本ＨＶＭ３５０９同类产品标准。     

用于多路信号传输的集成复用技术

通过对集成复用技术中常用的复用电路和解复用电路的分析，认为选择单节的四路ＭＵＸ和ＤＭＵＸ，结合通常为２－３微米双极高速工艺，比需要更高工艺水平的二节树型分叉结构更有实际意义。实际设计的４∶１ＭＵＸ和１∶４ＤＭＵＸＪ模拟验证，用２微米高速双极工艺研制已具有初步功能。     

Cu—Zn—Al合金贝氏体的三个生长阶段及其精细结构研究

利用透射镜研究了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金贝氏体α１相在相变过程中的精细结构变化，发现贝氏体的生长经历三个阶段：初生态、中间态和退化态。初生贝氏体内不含层错亚结构，α１依台阶机制长大到一定程度后，内部出现层错；随转变进一步进行，α１内的层错结构逐渐消失，发生“过退火”，最终向平衡相转变。     

光学玻璃化学稳定性与防蚀工艺的研究（续前）

介绍了光学玻璃的化学稳定性及光学零件抛光表面腐蚀原因，及防腐蚀的技术措施和效果。     

新颖的TFT LCD制作工艺

日本三菱电气公司新近开发了 a-Si TFT 的新工艺,为实现高性能 TFT LCD 创造了条件。下面作一介绍。1.制作工艺(1)TFT 结构TFTs 具有反相交错结构,图1为a-Si TFT 的剖面图。TFT 的 W/L 比为12μm/12μm。TFT LCD 的象素节距是318μm(V)×106μm(H),开口率为60%。