无线信道模型研究与展望(二)

高斯随机过程在任意时刻t均可以独立表示为Tc(t)和Ts(t)。Tc和Ts是非相关0均值的高斯随机变量,有相等的方差为[15]T2c=T2s=Ez2=E02/2(25)式中,上划线表示整体平均。     

沟道电势分布对静电感应晶闸管瞬态特性的影响

本论文从理论和实验上研究了由几何参数与偏置电压决定的沟道电势分布对静电感应晶闸管(SITH)瞬态性能的影响。从理论上推导出了SITH势垒高度和I-V特性的数学表达式。论文深入研究了影响器件在阻断态和导通态瞬态性能的主要因素和机理。研究结果对SITH的设计、制造、性能优化和应用有一定的指导意义。     

一种集成ΣΔ 小数频率合成器的双通道多模全球导航卫星系统接收机设计

本文给出了一种72mW的集成ΣΔ 小数频率合成器的高集成度双通道多模全球导航卫星系统接收机的设计,接收机覆盖GPS L1和北斗B1、B2、B3频段。接收机采用TSMC 0.18μm工艺,封装类型为3毫米?3毫米48脚封装。在没有片外低噪声放大器的情况下,噪声系数小于5.3dB,北斗B2、B3频段通道增益为105dB,GPS L1和北斗B1频段通道增益为110dB.镜像抑制dB.两个通道在的锁相环在偏离载波1MHz的频率处相位噪声为-115.9dBc和-108.9dBc。尽管两个不同的导航信号可以同时接收,在低功耗模式下,芯片实现了全球导航卫星系统多个频段的兼容,方便了用户的使用。     

信息

安森美半导体推出针对安捷伦科技ADS软件的High-QTMIPD工艺设计套件安森美半导体宣布提供针对公司High-QTM集成无源器件(IPD)工艺的完整从前到后工序工艺设计套件(PDK)。这PDK开发是为了配合安捷伦科技的先进设计系统(ADS)2011电子设计辅助(EDA)软件一起使用,使安森美半导体及安捷伦科技的客户能够充分利用业界最全面射频(RF)及微波设计平台的优势。     

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列适合要求超低导通电阻的工业应用

全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,IR)近日推出具有超低导通电阻(RDS(on))的StrongIRFET功率MOSFET系列,适合各种工业应用,包括电池组、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、叉车、电     

一种多目标精确计算恒虚警检测门限的方法——瑞利拟合法

雷达信号的恒虚警处理,在雷达自动检测中,是一个不可缺少的内容。目前关于计算检测门限的方法有很多。由于不同方法存在不同缺点和局限性,很难满足雷达系统的综合要求。本文借鉴传统恒虚警(CFAR)计算方法,提出一种新的恒虚警处理——瑞利拟合法。该方法与传统的恒虚警处理方法相比,不仅在多目标检测方面具有显著优点,而且检测门限精度高,很容易达到雷达指标要求。     

RF LDMOS功率器件关键参数仿真

在RF LDMOS功率器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是相互矛盾和相互制约的。文中研究了几个参数之间的关系和优化方案。现在RF LDMOS功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠性以及脉冲应用等方向发展。所研制器件采用沟背面源结构,采用场板技术降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压6V、频率520MHz、连续波的测试条件下,输出功率达到5.6W,增益大于12dB,效率大于55%。     

Vishay Intertechnology推出两款低导通电阻MOSFET

正日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用3 mm×1.8 mm PoWerPAK ChipFET封装、高度0.8 mm的单片30 V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFET(?)GenⅢ系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。     

瑞萨电子推出碳化硅复合功率器件

正全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管,组成     

Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。