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21.
应用TGT法生长了直径为75mm的U:CaF2晶体,宏观上透明完整.应用公式K0=Cs/Cl计算了U在CaF2晶体中的分凝系数等于0.53.应用溶质分布一般公式Cs=K0C0(1-g)K0-1,计算U的浓度分布与测量值,数值符合说明晶体生长过程接近平衡状态.分析不同条件下生长的U: CaF2晶体的晶胞参数和吸收光谱,结果表明生长气氛决定U的价态及电荷补偿机理:无PbF2存在的条件下,U为+4价,晶体呈绿色;PbF2的加入起到氟化去氧作用,U倾向于以离子半径最接近于Ca2+的U3+存在,晶体呈红色.从晶体生长开始到结束的部位,U3+:CaF2晶体吸收光谱的峰位不变,峰强呈现与U浓度相同的增加趋势.U3+:CaF2晶体外层厚约5mm处呈黄色,含有U3+和U2+的混合价态离子,其原理是石墨坩埚的还原作用通过单质铅,使部分的U3+进一步还原成了U2+.
关键词:
铀
氟化钙晶体
分凝系数
晶胞参数 相似文献
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23.
24.
TANG Chen ZHANG Fang YAN Hai-Qing CHEN Zhan-Qing LUO Tao 《理论物理通讯》2005,44(3):435-439
We develop the three-step explicit and implicit schemes of exponential fitting methods. We use the three- step explicit exponential fitting scheme to predict an approximation, then use the three-step implicit exponential fitting scheme to correct this prediction. This combination is called the three-step predictor-corrector of exponential fitting method. The three-step predictor-corrector of exponential fitting method is applied to numerically compute the coupled nonlinear Schroedinger equation and the nonlinear Schroedinger equation with varying coefficients. The numerical results show that the scheme is highly accurate. 相似文献
25.
用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3(0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.226μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.10eV;对ne,E0=5.57eV,λ0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.ABO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折射率产生重要影响. 相似文献
26.
符合计数的测量量为总中子计数和符合计数,而未知量有(α,n)中子与自发裂变中子之比α、泄漏增殖系数M1以及钚-240的质量。符合计数与源中子泄漏复度分布的二阶矩成正比。对MCNP程序进行修改,加入自发裂变源与(α,n)中子源的跟踪功能,直接得到了中子泄漏复度分布的二阶矩。 相似文献
27.
28.
无线电子市场的蓬勃发展对电路保护提出了新要求,这是因为数字器件对过大的电流或者过高的电压变得更加敏感。由于锂电池的发展,以及电池充电技术的广泛应用,新的PPTC(聚合物正温度系数)保护器件应运而生。PPTC保护器件的性能好,体积小,对于要求元器件尺寸很小、重量很轻的产品是极为重要的。 相似文献
29.
负温度系数(NTC)传感器是一种阻值随温度升高而降低的热敏电阻,广泛应用于家用电器的测控系统中.鉴于不同NTC元件的温度-电阻特性一致性较差,给批量家用电器产品的调试带来不便.因此,NTC特性的自动测量和筛选是十分重要的.文中介绍了一种新型的NTC热敏电阻特性检测系统,阐述了该系统的检测原理和硬件组成,给出了系统的硬件框图和软件流程.该系统实现了NTC传感器温度特性的自动测量和筛选,方便了整机装配前对使用的NTC传感器温度特性的检测,降低了后道工序的调整难度,节省了工时. 相似文献
30.
介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃~ 150℃,通用性强. 相似文献