音响产品的外观装饰

本文对音响产品的外观装饰内容作了较全面的介绍，同时也指出了差距和不足，进而是提出了对今后的期望，发展新型装饰材料和有关高新技术，提高管理水平，以期使我国的产品装饰技术大大提高一步。     

GJB548修订中先进性与可行性的综合考虑

结合美军标准微电子器件试验方法和程序的发展变化以及我国集成电路生产和研制的现状与国情，论述了GJB548的修订原则和协调先进性与可行性的综合处理方法及体会。     

我国表面安装器件发展状况

概括介绍我国表面安装器件十年来的生产发展状况，提供至今生产线的引进分布、品种生产能力、原材料国产化、外形和引线框架标准、市场、国内表面安装技术设备研制动向，说明存在的问题和国外技术上的差距，从而就社会主义市场经济下，如何发展表面安装产业，提出一些建议以供参考。     

纳米硅量子线的发现与研究

一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域．文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线（ＳｉＮＷｓ）的方法，介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果．纳米硅量子线的发现具有重要的科学意义和潜在的应用前景．     

阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。     

GaN MESFET的微波性能

用ＭＯＣＶＤ法制备了在高电阻率ＧａＮ层上生长沟道厚度为０．２５μｍ的ＧａＮＭＥＳＦＥＴ，这些器件的跨导为２０ｍＳ／ｍｍ，其中一个栅长为０．７μｍ的器件，测得其ｆＴ和ｆｍａｘ分别为８和１７ＧＨｚ。     

利用单片机和CPLD实现直接数字频率合成(DDS)

与传统的频率合成方法相比，DDS合成信号具有频率切换时间短，频率分辨率高，相位变化连续等诸多优点，使用单片机灵活的控制能力以及良好的人机对话功能与CPLD器件的高性能，高集成度相结合，可以克服传统DDS设计中的很多不足，从而设计开发出性能优良的DDS系统。