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991.
基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能,设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器。通过合理设计外延材料结构和器件结构,提高器件性能。测试1~40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75~110 GHz器件的S参数,并采用外推的方法建立了器件的噪声模型。电路设计采用ADS仿真软件,采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性,最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器。测试结果显示在92~96 GHz时,带内增益大于20 dB,噪声系数小于4.0 dB。芯片面积3.07 mm×1.75 mm,直流功耗60 mW。 相似文献
992.
基于绝缘体硅(SOI)0.35μm工艺实现了一款满足IEEE 1596.3和ANSI/TIA/EIA-644工业标准的低压差分信号(LVDS)驱动器芯片。全芯片分为预驱动模块、输出驱动模块、共模反馈模块、使能模块和偏置模块。提出了一种具有低输入电容输出驱动模块电路结构,经仿真验证可有效降低LVDS预驱动模块30%的功耗,同时降低29%的信号延时。芯片利用共模反馈机制控制输出信号的共模电平范围,通过环路补偿保证共模反馈电路的环路稳定性。芯片使用3.3 V供电电压,经Spice仿真并流片测试,输出信号共模电平1.23 V,差分输出电压347 mV,在400 Mbit/s数据传输速率下单路动态功耗为22 mW。 相似文献
993.
设计了一个锁相环频率合成器芯片,该芯片可用在无线接收系统的发射上变频和下变频中实现本振功能。该芯片通过外接滤波器和压控振荡器,构成完整的锁相环频率合成器。芯片的结构包括低相噪数字鉴频鉴相器、可编程参考分频器、双模预分频与A计数器和B计数器构成的N分频器、低温漂基准源、高精度电荷泵和4个24 bit的寄存器等。基于0.35μm SiGe工艺,芯片面积为1.4 mm×1.7 mm,归一化本底噪声-222 dBc/Hz,6.5 GHz时电流约为23 mA。基于芯片宽射频输入范围的特点,很多高频系统可省略倍频器,从而简化系统结构,降低成本。 相似文献
994.
针对强噪音环境中小体积应用场合下的语音增强,设计了一种基于锥型麦克风阵列结构的语音增强方法。该方法充分利用锥形结构中锥底麦克风阵列对锥顶麦克风的良好噪声抵消性能,结合端点检测器和两级自适应滤波器设计的多通道抗串扰噪声抵消算法,实现了强噪音环境中的语音增强。理论分析和仿真验证了锥形结构设计的合理性和优越性,仿真结果表明,改进的多路抗串扰噪声抵消算法应用于此锥形结构的麦克风阵列中可提高语音信号的信噪比,对语音的损伤小,在强噪音环境中语音增强效果显著。 相似文献
995.
996.
997.
中继能够提高信息传输质量及覆盖区域,是一种近年来得到迅速发展且前景广阔的无线通信技术。而性能优良的中继信道估计构成了改善通信环境的其他技术的基础前提。针对中继信道估计中的相位响应部分,首先建立了在任意信噪比条件下的相位噪声模型。考虑到估计过程快速的现实要求,通过将模型中原有复杂的表达噪声形式用高斯的方法近似化,得到了较为简洁的结果,并根据不同的简化形式给出对应的若干相位响应估计算法。为了比较这些算法之间的性能,重点推导了估计算法所能达到的CRLB。最后结合计算机数值仿真验证了结论的正确性。 相似文献
998.
正如果你认为令人赞叹不已的I2C总线已没有什么新鲜的了,那么让我们摒弃这种观念吧。第一代具有I2C总线功能的集成电路出现于30多年前,1982年由飞利浦半导体公司(Philips Semiconductor)开发,它是简单的串行总线,用于控制电视机内的各种芯片。"I2C总线"代表"内部集成电路总线"。虽然I2C历史悠久,但现在它 相似文献
999.
正电路系统中的电源种类线性电源和开关电源是电路系统中常用的两种电源(如图1所示)。线性电源是电源通过三极管工作在线性区整定得到,输出的电流非常干净;开关电源是电源通过晶体管工作在饱和区和全关区来调节。通过改变开关占空比来控制转换后输出电压大小。 相似文献
1000.