渐变耦合脊波导晶体管探测器光响应分析

为提高InP基光探测器的吸收效率和工作速度,设计了一种渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管探测器。采用有效折射率法和光束传播法,分析渐变耦合脊波导的光传输模式,优化后波导宽度和波导长度分别为2.6μm和250μm,可实现单模传输和高的光吸收效率。由于渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管光传输方向与载流子运动方向垂直,分别优化光敏晶体管的吸收效率和速度,器件输出光电流和特征频率均得到改善。渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管的响应度为33.83A/W,饱和输出光电流为90mA,最高特征频率达到87GHz,其饱和输出电流和特征频率相比于台面单载流子传输异质结光敏晶体管分别提高了20%和24%。但渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管吸收体积大,获得饱和电流时的光功率也比较大,因此渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管的响应度略小于台面的单载流子传输异质结光敏晶体管的响应度。     

SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 ,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响     

基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响

采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能,重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fτ的影响。三角形分布,又分为起点为零和不为零两种情况。同时为了消除集电结处SiGe异质结的价带势垒对空穴输运的影响,Ge组分向集电区延伸进一步提高了晶体管的性能。得到最大电流增益β可达150和特征频率fτ可达15GHz的pnp SiGe HBT,可以广泛地应用到通信、微波和射频领域。     

壳聚糖膜与Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)、Cu(Ⅱ)复合物的IR光谱和XPS谱

将壳聚糖制成膜后浸泡在含有金属离子Cu(Ⅱ)、Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)的溶液中制备得到相应的复合物。根据IR光谱中官能团特征频率的位移和XPS谱中元素结合能的变化，表明Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)、Cu(Ⅱ)与壳聚糖膜的吸附机理包括物理作用和化学吸附，其中化学吸附是通过壳聚糖表面部分-NH2提供孤对电子和金属离子形成了配位键。     

基于语音信号时变特性的说话人辨认

在平均Mel倒谱基础上提取随时间变化的特征频率,由此得到了由各个语音信号特征频率倒谱值序列构成的时间序列。运用时间序列预处理和数理统计的方法,分离时间序列的趋势量和波动量。波动量是零均值自协方差非平稳的时间序列,利用满阶时变参数自回归TVPAR（Time—Varying Parameter Autoregressive）模型对波动量序列进行分析,进一步提取说话人语音信号的特征参数。在波动量序列和用满阶TVPAR模型分析的基础上分别进行说话人识别。实验表明,用满阶TVPAR模型进行识别,识别率比波动量序列上的识别率有较大提高,一个特征频率上平均识别率达到99．68％,取两个特征频率时达到100％。     

电子百科

对于元器件而言，特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。例如，对于用作放大的有源器件——双极型晶体管（BJT）以及场效应晶体管而言，特征频率就是指其电流放大系数下降到1时的频率，这是共发射极组态作为放大使用的截止频率。     

射频Si/SiGe/Si HBT的研究

在Si／SiGe／SiHBT与Si工艺兼容的研究基础上，对射频Si／SiGe／SiHBT的射频特性和制备工艺进行了研究，分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si／SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系，成功地制备了fT为2．5CHz、fmax为2．3GHz的射频Si／SiGe／SiHBT，为具有更好的射频性能的Si／SiGe／Si HBT的研究建立了基础。     

基于特征频率的拖曳双线阵最优左右舷分辨

左右舷模糊是拖曳单线阵固有的缺陷,而拖曳双线阵具有左右舷分辨能力。本文利用双线阵的指向性函数,通过对双线阵左右舷抑制比的分析,给出使左右舷抑制比最优的特征频率,并提出一种适用于宽带信号的拖曳双线阵左右舷分辨方法。理论分析表明:当目标方位已知时,特征频率仅依赖于双阵问距,且对双阵间距变化有相当的宽容性;基于特征频率的常规波束形成使左右舷抑制比有显著改善。海试结果验证了特征频率的存在,通过对比证明了方法的有效性。     

一种SiGe BiCMOS高速PNP器件的设计

设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件.基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响.在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性.基于仿真得到的工艺条件所制作的PNP器件,其特性与仿真结果基本一致.最终优化的PNP器件的电流增益为38,击穿电压大于7V,特征频率为10 GHz.该PNP晶体管改善了横向寄生硅基区PNP晶体管的性能,减少了垂直SiGe基区PNP晶体管工艺的复杂性,采用成本低廉的简单工艺实现了优良的器件性能.     

数字晶体管f_T测试误差分析

特征频率fT是数字晶体管的一项重要参数。文章叙述了普通晶体管特征频率fT的测试原理,并从模拟数字晶体管的等效电路着手,通过理论推导,深入分析了fT产生测试误差甚至无法测量的原因。指出基极串联电阻的接入破坏了基极注入信号必须是恒流的测试条件;基极-发射极并联电阻的接入对测试信号起到了分流作用。在这两方面共同作用下,经被测管放大后的集电极信号减小,导致增益下降,必然会产生很大的测试误差。同时文中进行了一系列的试验,与分析结果相符合,并分别给出了串联电阻和并联电阻对fT影响程度的具体数据及曲线图,可为数字晶体管的生产厂商和使用单位的有关人员提供帮助,也可供测试仪器制造厂家的研发人员作为参考。