193nm光刻技术进展和问题

光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

通用红外线遥控集成电路

<正> 本文介绍由SZ9148、SZ9149、SZ9150三种集成电路所构成的通用红外线遥控系统,其用途十分广泛。其中SZ9148是具有矩阵编码的遥控发射集成电路。它与SZ9149集成电路配合可完成10种功能的遥控;与SZ9150集成电路配合可完成18种功能的遥控,可发射的指令多达75个,其中63个是连续指令,可多键组合;12个是单发指令,只能单键使用。如此组合起来可用于多种电器设备的遥控。     

X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器

报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。     

集成电路的封装效应和它的建模

前半部分综述高速集成电路的封装效应和它的物理模型，并指出怎样利用时域反射法来测量有关它的参数，如电感、电容、耦合电感和耦合电容值等。后半部分笔者用地质学中使用的分层结构Ｚ－Ｐｒｏｆｉｌｅ算法，使得建模精度有很大提高。由于所用方法仪器简单、测量数据准确。因此是一个很好的科学研究工具，在生产实践中也有实用和经济价值。     

集成对数放大器的设计与分析

介绍了一种新的大动态集成对数中频放大器。它采用８级集成电路Ｘ３９５级联，以电压连续相加法来实现输入中频与输出视频间的对数振幅特性。