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191.
热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了热载流子注入对MOS结构C-V和I-V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C-V特性曲线畸变,平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的t^n物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
192.
2~12GHz GaAs单片行波放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了一个全平面超宽带GaAs单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个300μm栅宽的MESFET,整个电路拓扑结构简单,芯片面积为3.0mm×1.8mm。电路经优化设计后在2~12GHz范围内,小信号增益为5±1dB,输入输出电压驻波比≤1.75。上述频率范围内输出功率≥16dBm,噪声系数≤8dB。采用全离子注入、全平面工艺,均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。 相似文献
193.
194.
CMOS专用IC──步进电机分配器毕玉国随着cMOS集成电路设计和制造技术的发展,制造一片新的IC的周期越来越短,成本也越来越低,加之CMOS工艺IC本身的优点,要求定制CMOS专用IC的用户正在增加,使CMOS专用IC成为CMOS集成电路领域中一个... 相似文献
195.
双输出DC—DC变换器集成电路──MAX742方佩敏由MAX742组成的DC—DC变换器电路输人电压为十SV,输出电压为土12V或土15V(可选),允差为士4%,负载电流可达ZA,功率可达3W~60W,效率高于m%。它的外围元件少、工作频率高(100... 相似文献
196.
197.
198.
本文介绍莫托罗拉公司开发的新型NTSC/PAL梳状滤波器,它使用数字处理技术将亮色分离产生的爬行和串色问题减到最小。 相似文献
199.
200.