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161.
162.
163.
PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究   总被引:6,自引:1,他引:5  
采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C:F,研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系,测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数,并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分,发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关,其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关。  相似文献   
164.
分析了IC的氮气密封烧结工艺过程中存在的问题,并提出了改进措施,使密封烧结成品率提高了24%。  相似文献   
165.
166.
集成电路设计技术进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
主要讨论亚微米集成电路设计面临的几个问题,如器件模型、互连线的延迟与串扰、设计效率的提高、功耗、可靠性设计、建库及EDA软件等,并介绍了这几个方面的最新研究进展  相似文献   
167.
陈曦 《电讯技术》1998,38(4):72-78
本文以ispLISI1000系列为例,对isp技术及ispLSI器件进行了较为详细的介绍,并结合具体设计实例,介绍ispLS开发工具的使用。  相似文献   
168.
本文介绍了LT348的电路、版图和工艺设计。LT348是由四个功能和741组件等同而又各自独立的高增益、内补偿、低功耗运放器组成,并且它的电源电流可以和单个的741典型运放器相比拟。此外,它还具有比标准74正低得多的输入失调电流和输入偏流的特征。  相似文献   
169.
170.
HCMOS施密特触发器曾庆贵数字系统经常会接收到上升时何和下降时伺比较长的输入信号,例如从滤波器输出的信号、数据传输装置信号、转换器输出信号以及由变压器或振荡器取得的信号。从理论上讲,虽然HCMOS集成电路输入端和输出端之间有很高的增益,能产生矩形输...  相似文献   
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