高功率光纤激光深熔焊接小孔特征直接观测

为了进一步解决深熔焊接小孔难以进行观测的问题,本文通过“三明治”的方法,从而针对10kW光纤激光深熔焊接小孔进行了非常明显的观测,从而观察到在激光深熔焊接的小孔内部以及孔壁出现液体流动的现象.对于小孔前沿壁上面的液体流动的“台阶”以及伴随着流动物理学和蒸汽现象进行同步观察之后,进一步发现了金属微滴脱离小孔壁的整个过程以及产生蒸汽爆发的现象.     

基于激光加工机器人的光内送粉变基面熔覆研究

现有激光熔覆技术大多是基于水平基面上开展的,这种方式极大地限制了激光熔覆技术的广泛应用。基于"光束中空、光内送粉"技术,通过对激光加工机器人系统的程序控制实现了基板0°~150°的倾斜和熔覆头相应姿态的连续变化,研究了基板不同倾斜角度下对熔覆层截面尺寸及组织的影响规律,并对变基面过程中的熔池进行了受力分析。实验结果表明:随基板倾斜角度逐渐增大,粉末聚焦特性变差,进入熔池的粉末量逐渐减少,造成熔覆层高度逐渐降低。熔覆层宽度稳定在光斑左右,变化不明显;偏移量(熔覆层最高点轴线位置偏离激光束轴线位置间的距离)先增大后降低。熔覆层顶部显微组织树枝晶大小先变粗后变细,典型柱状晶生长方向随基板角度变化也发生相应的倾斜。该工艺为在非水平基面上进行激光熔覆、修复及成形提供了参考价值。     

微孔聚丙烯中空纤维膜熔纺过程的动力学及结构发展的数值模拟——(1)数学模型

利用力平衡、质量守恒、能量守恒等原理推导了一组一阶非线性常微分方程组，用于描述聚丙烯中空纤维膜原纤熔纺过程的动力学及结构的发展。     

熔制温度对CBS系微晶玻璃结构与性能的影响

采用高温熔融法制备CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃,考察不同熔制温度对该体系微晶玻璃结构和性能的影响。结果表明:熔制温度1 400～1 450℃,试样中存在少量未熔融的SiO2,有利于CaSiO3晶相的析出和晶粒细化,加速CBS系微晶玻璃致密化。熔制温度为1 450℃粉料,850℃烧结保温15 min所制CBS性能较优:体积密度为2.54 g.cm–3,相对介电常数为6.42,介电损耗为0.000 9。     

厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量

针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响，更新Dill曝光参数的定义，建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型．光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系，为此，建立了实时曝光监测实验装置，测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线，并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律．最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析．     

用激光熔覆技术降低刀具费用

Alvord—Polk公司最近开发了一种利用激光在高速钢刀具刃口上熔结一层HSS超级合金粉末的新技术。这是一个称为“Laserclad”的激光包覆过程。据称，经过Laserclad处理后的刀具刃口具有HSS超级合金的高硬度，故刀具耐用度显著提高。     

三维晶体相场法模拟位错的预熔及熔解

采用三维晶体相场法模拟位错的预熔及熔解，研究位错发生预熔和熔解的微观组织形貌，通过时间平均原子数密度变化曲线确定位错熔解半径。研究表明，位错可以在温度低于熔点时发生预熔，但熔解速度和规模都很小；当温度达到熔点附近时，位错熔解的规模和速度都变得很大。单一位错会从其核心径向圆形向外熔解，位错熔解半径平方的倒数与温度成线性关系。     

200W MCFC电池组的电化学性能及热平衡计算

MCFC电池组 (6对电池 ,电极面积 2 2 6cm2 )在 0 .9MPa/cm2 反应气压下 ,输出功率为2 17.6W .热平衡计算表明 ,该电池组在 30 0mA/cm2 电流密度下放电 ,当气体利用率为 2 0 %时 ,电池组处于热平衡状态下运行 .若维持此热平衡 (电池组内最高温度为 70 0℃ ,运行温度 6 5 0℃ )状态且提高反应气体利用率 ,则电池组热平衡点的电流密度将下降 ,以空气 +CO2 为氧化剂 ,H2 +CO2 为燃料气时 ,在不同气体利用率下电池组热平衡点的电流密度均大于 10 0mA/cm2 .提高电池组的输出功率 ,热电效率将下降 ;提高反应气压 ,热电效率相应提高     

大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能

采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为27mm的大尺寸P和N型Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3赝三元取向晶锭.并测试了其温差电性质,分析了制备条件对其影响.     

碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察

本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察.结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级.这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体.