扩压叶栅叶顶间隙流动结构研究

本文对某扩压叶栅叶顶间隙流动结构进行了研究,通过三维数值仿真,对叶顶间隙流场中的旋涡结构构成、空间分布及相互作用关系进行了分析.研究采用Q判据识别流场中的涡,发现叶顶间隙气流的泄漏流动形成了叶尖分离涡、二次涡以及泄漏涡等旋涡结构,其空间位置及空间尺度具有明显差别。叶尖分离涡的堵塞作用对泄漏涡的强度、空间位置造成影响;在叶顶泄漏流动与泄漏涡的共同作用下形成了叶尖二次涡。涡系间存在的相互作用共同构成了叶顶间隙流场框架。     

提高谐波参量测量精度的谱泄漏相消算法

提出一种能有效提高谐波参量测量精度的新算法.该法通过两个采样起点约间隔半个信号周期的采样数据作加窗傅里叶变换,并利用它们将谱泄漏抵消,从而有效地改善谐波分析的精度.所提出的方法适用于任何形式的对称窗函数.理论分析与数值模拟结果均表明:该算法可显著提高容易被强谐波所掩蔽的弱谐波的谱分析精度从而提高谱分析的整体测量精度.     

TDD-LTE移动通信系统高速铁路场景共存研究

主要介绍高速铁路场景下基于TDD-LTE的专用移动通信系统与蜂窝系统共存的相关问题及实现.介绍了采用基于BBU(Base Band Unit)和RRU(Remote Radio Unit)的用于减少切换的车外网络拓扑模型,车内覆盖则采用基于泄漏电缆的解决方案,并对于通过系统级仿真方法评估高速铁路专网与公网宏蜂窝共存的性...     

变电站SF6泄漏在线监测技术的研究

SF6气体是变电站当中运用较为频繁的气体,一旦发生泄漏,对工作人员以及设备运行都具有较大的危害,因此需要使用在线监测技术对其进行监测。文中简要分析了SF6气体的特性,介绍了部分测量SF6气体的方式,并从激光监测、风机控制等方面分析了SF6泄漏在线监测技术,以期确保SF6气体不会出现泄漏现象,从而保证变电站的安全。     

基于改进加权质心和遗传算法的气体源定位研究

为了提高室内危险气体泄漏点的定位精度,通过对现有气体扩散模型的研究,给出一种无风无边界连续泄漏点源浓度的扩散模型。首先应用改进加权质心定位算法通过第一次粗定位和第二次的精细定位获得定位结果。另外,利用遗传算法对室内气体泄漏源进行全局最优的精细定位,通过Matlab仿真实验进行定位误差分析,得到采用改进加权质心定位算法和遗传算法的定位相对误差分别低于5%和3.5%。最后搭建了测试系统用乙醇气体源进行泄漏点定位实验,验证了两种定位算法的准确性。     

TEMPEST技术及其发展趋势

TEMPEST技术建立在EMC（电磁兼容）理论基础上,但却有别于EMC,研究TEMPEST技术的主要目的是降低和抑制有用信息的电磁发射,本文通过对TEMPEST技术标准及其产品的介绍,讨论TEMPEST技术发展的趋势。     

机载红外天然气管道泄漏监测技术研究

进入21世纪后,我国的天然气消耗量飞速上升,目前国内输气管道总长度已经达到2.4万公里,预计2010年底将达到3.6万公里.如此绵长的输气管道,随着管道设施的老化、地质结构的变化、地质灾害的发生,天然气的泄漏在所难免.通常天然气管道的泄漏量一般大约要占输气总量的10%.天然气管道泄漏对经济发展、大气环境和社会安全带来了负面影响,因此必须积极开展各种天然气管道泄漏监测技术的研究.本文首先介绍了国内外基于机载平台的天然气管道泄漏监测技术的研究现状,然后阐述了两种主要机载天然气监测技术的工作原理,在分析比较两种技术优缺点的基础上,提出了适合我国国情的机载天然气管道泄漏监测的技术方案,并报道了与此方案相关的基础性研究内容.     

A PD-SOI based DTI-LOCOS combined cross isolation technique for minimizing TID radiation induced leakage in high density memory

In order to minimize leakage current increase under total ionizing dose （TID） radiation in high density memory circuits, a new isolation technique, combining deep trench isolation （DTI） between the wells, local oxi- dation of silicon （LOCOS） isolation between the devices within the well, and a P-diffused area in order to limit leakage at the isolation edge is implemented in partly-depleted silicon-on-insulator （PD-SOI） technology. This ra- diation hardening technique can minimize the layout area by more than 60%, and allows flexible placement of the body contact. Radiation hardened transistors and 256 Kb flash memory chips are designed and fabricated in a 0.6 μm PD-SOI process. Experiments show that no obvious increase in leakage current is observed for single tran- sistors under 1 Mrad（Si） radiation, and that the 256 Kb memory chip still functions well after a TID of 100 krad（Si）, with only 50% increase of the active power consumption in read mode.     

光子晶体太赫兹波导的损耗特性

提出了一种新型光子晶体太赫兹(THz)波导,该波导包层为硅介质中含有按三角形格子周期排列的空气孔,纤芯为有机材料聚乙烯(PE).应用平面波法(PWM)分析了这种光子晶体太赫兹波导的带隙结构,研究了空气填充率变化对光子带隙(PBG)结构的影响;然后应用频域有限差分法(FDFD)对不同参数太赫兹波导的损耗进行了计算.结果表明,这是一种适合太赫兹波传输的带隙效应波导,选择较高填充率,较大孔间距,较多周期结构层数可以得到较低的泄漏损耗,选取合适的参数损耗最低值可以达到1.5 dB/km.     

一种带有直流失调和载波泄漏矫正系统的直接变频WLAN收发机基带电路

本文介绍了一种基于IEEE 802.11a/b/g标准的双频段直接变频WLAN收发机基带电路,并引入了一些用于消除接收机直流失调和发射机载波泄漏的关键技术,从而使得该直接变频结构满足WLAN的性能指标。在接收机基带中,可变增益放大器提供62dB的增益范围且步长为2dB;直流失调矫正电路用来消除由版图不匹配和自混频造成的误差。该矫正环路有着不随增益调节而变化的高通极点和较快的稳定时间,后者通过在接收前导序列时设定1MHz的高通极点而在正常接收数据时设定30KHz的极点得以实现。发射机基带采用基于片上AD和DA的自动矫正系统来抑制载波泄漏,AD在矫正完成之后会自动关闭从而可以节省功耗。此电路采用0.35微米锗硅工艺并工作在2.85V电源电压下,接收基带放大器和直流失调消除电路共消耗17.52mA,而发射载波泄漏矫正环路共消耗8.3mA（矫正完成后为5.88mA）;其相应的芯片面积分别为0.68mm2和0.18mm2。